Похожие работы на «Полупроводники, р-n переход »
Полупроводники, р-n переход
Физика, Полупроводники, р-n переход , Рефераты
В р-области основными носителями тока являются дырки, образовавшиеся в результате захвата электронов атомами примеси (акцепторы при этом становятся ...
... движения переход электронов из валентной зоны в зону проводимости приводит к образованию небольшого числа, дырок - неосновных носителей для этой ...
Фоторезисторы
Радиоэлектроника, Фоторезисторы , Работа Курсовая
... электрона; (n - подвижность электронов; (p - подвижность дырок; (ni - концентрация генерируемых электронов; (pi - концентрация генерируемых дырок.
... падает на кристалл и поглощается им, возбуждая при этом электроны в зону проводимости (или в полупроводниках p-типа - дырки в валентную зону) ...
Фоторезисторы
Радиоэлектроника, Фоторезисторы , Диссертация и связанное с ней Автореферат
... электрона; (n - подвижность электронов; (p - подвижность дырок; (ni - концентрация генерируемых электронов; (pi - концентрация генерируемых дырок.
... падает на кристалл и поглощается им, возбуждая при этом электроны в зону проводимости (или в полупроводниках p-типа - дырки в валентную зону) ...
Физические основы работы лазерного принтера
Физика, Физические основы работы лазерного принтера , Рефераты
... слабее; в качестве валентных электронов они могут участвовать в химических процессах, а в качестве электронов проводимости - переносить электрический ...
... в которых электронов больше, чем дырок, называются полупроводниками n-типа, а полупроводники, в которых больше дырок, - полупроводниками p-типа.
Химия радиоматериалов, лекции Кораблевой А.А. (ГУАП)
Химия, Химия радиоматериалов, лекции Кораблевой А.А. (ГУАП) , Лекции преподавательские
... которых содержится 1 электрон на валентном уровне, валентная зона на половину заполнена, а следовательно, внутри валентной зоны электрон может менять ...
... т.к. электроны между атомами обобществлены => есть предпосылки для проводимости, но электронная пара локализована между атомами, поэтому эти электроны ...
Электроника
Радиоэлектроника, Электроника , Шпаргалки
... проводимость ( - время жизни носителя заряда (е). Вывод: таким образом nроводимость в чистом П/П обоснована свободными электронами или дырками. (=(n+ ...
группы сурьму Sb, тогда один из 5 валентных электронов Sb окажется свободным, тогда образуется эл. проводимость, а примесь называется донорной. -Если ...
Электронные цепи и приборы (шпаргалка)
Радиоэлектроника, Электронные цепи и приборы (шпаргалка) , Шпаргалки
Возвращение возбужденных электронов из зоны проводимости в валентную зону, в рез. которого пара носителей заряда электрон-дырка исчезает, называют ...
... fГр при заданных напряжении Uкэ и токе эмиттера; статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h21Э при заданных напряжении Uкэ и Iэ; обратные токи ...
Фуллерены
Физика, Фуллерены , Работа Курсовая
Электронная оболочка атома углерода содержит четыре валентных электрона конфигурации s^2p^2. Валентные электроны атома находятся на разных орбитах, ...
... n-типа; значения активационных энергий Еа температурной зависимости проводимости сигма = сигма exp (-Eа/kT) существенно ниже значений половины ...
Физические основы электроники
Радиоэлектроника, Физические основы электроники, Лекция
... в 4-валентный полупроводник примесных 5-валентных атомов (фосфора Р, сурьмы Sb) атомы примесей замещают основные атомы в узлах кристаллической решетки ...
... б) полупроводника с электронной электропроводностью. увеличением дырок в валентной зоне, в таком полупроводнике концентрация электронов оказывается ...
Физические основы действия современных компьютеров
Программирование и комп-ры, Физические основы действия современных компьютеров , Работа Курсовая
... в полупроводник атомы с более низкой валентностью (т.н. акцепторы), чем сам полупроводник, то он приобретет pтип, т.к. низковалентные атомы охотно ...
... S - крутизна характеристик, (Ic - изменение тока стока, (Uзи - изменение напряжения на затворе при постоянном напряжении на стоке. [pic] при Uзи=const ...
