Похожие работы на «Эффект Холла »

Эффект Холла
Физика, Эффект Холла , Рефераты ... 6 3. Эффект Холла в ферромагнетиках 9 4. Эффект Холла в полупроводниках 10 5. Эффект Холла на инерционных электронах в полупроводниках 11 6. Датчик ...
... причем по знаку эффекта можно судить о принадлежности полупроводника к nили p-типу, так как в полупроводниках n-типа знак носителей тока отрицательный ...


Шпаргалка по всему курсу физики (как ее преподают в Днепропетровском Государственном Техническом Университете Железнодорожного Транспорта)
Физика, Шпаргалка по всему курсу физики (как ее преподают в Днепропетровском Государственном Техническом Университете Железнодорожного Транспорта ... ... поперечного электрического поля Е = R [B*j], где B-индукция, j-вектор плотности тока, R-постоянная Холла.Холловская разность потенци U=RIB/d, где d ...
... полного тока следует, что магнитная индукция в какой-либо точке магнитного поля в вакууме связана с плотностью тока соотношением : rot B = ?о*j. Таким ...


Расчет разветвленной электрической цепи постоянного тока [нестрогое соответствие]
Физика, Расчет разветвленной электрической цепи постоянного тока , Работа Курсовая ... то этот опыт позволяет не только предположить существование в металле свободных зарядов, но и определить знак зарядов, их массу и величину (точнее, ...
... закону Фарадея равен: q= +- nF/ Na Заряд одновалентного иона (л = 1) равен по абсолютному значению заряду электрона: q=e=1,602*10-19 Kл Таким образом, ...


Исследование магнитного гистерезиса [нестрогое соответствие]
Физика, Исследование магнитного гистерезиса, Курсовая ... индукция B=0. При дальнейшем увеличении тока и напряженности поля магнитопровод намагничивается в противоположном направлении и при напряженности поля ...
... обмотке N1 на противоположное, в цепи обмотке N2 возникал кратковременный индукционный ток и через баллистический гальванометр проходил электрический ...


Общая Физика (лекции по физике за II семестр СПбГЭТУ ЛЭТИ) [нестрогое соответствие]
Физика, Общая Физика (лекции по физике за II семестр СПбГЭТУ ЛЭТИ) , Лекции ... R2)/((0r2) = q/(4((0r2) Eвнутр = ((r)/(3(0(1) E 1 Er 2 r R Шар с ((r): Eнаружн = q/(4((0(2r2) dq = ((r") 4(r" dr" r" - толщина внутреннего слоя; q = 0 ...
... 1 (2 H = [I/(4(b)]*(cos(1-cos(2) Линии магнитной индукции магнитного поля прямого тока представляют собой систему охватывающих провод концентрических ...


Сверхпроводники [нестрогое соответствие]
Физика, Сверхпроводники, Реферат ... внутрь, всегда Вi=0. Когда сверхпроводник охлаждается в слабом магнитном поле, то при температуре перехода на его поверхности возникает незатухающий ...
... число частиц с энергией Е, равна плотности числа состояний g(E), так как f(E)=1: g(E)=((4(V)/ n3)(2m)3/2Е1/2. График этой функции представлен на рис. ...


Сверхпроводимость [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Сверхпроводимость , Рефераты ... внутрь, всегда Вi=0. Когда сверхпроводник охлаждается в слабом магнитном поле, то при температуре перехода на его поверхности возникает незатухающий ...
... число частиц с энергией Е, равна плотности числа состояний g(E), так как f(E)=1: g(E)=((4(V)/ n3)(2m)3/2Е1/2. График этой функции представлен на рис. ...


Акустические свойства полупроводников [нестрогое соответствие]
Физика, Акустические свойства полупроводников, Доклад ... ПОГЛОЩЕНИЕ И УСИЛЕНИЕ ЗВУКА 3. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ УСИЛЕНИИ ЗВУКА 4. УСИЛЕНИЕ АКУСТИЧЕСКИХ ШУМОВ И СВЯЗАННЫЕ С ЭТИМ ЯВЛЕНИЯ 5. ЗВУКОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ...
... лишены индивидуальности, и их можно описывать как объемный заряд, характеризуемый электропроводностью о и коэффициентом диффузии D. В результате ...


Реверсная магнитная фокусирующая система мощного многолучевого клистрона [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Реверсная магнитная фокусирующая система мощного многолучевого клистрона , Диплом и связанное с ним ... система; РЛС - радиолокационная станция; ЛБВ - лампа бегущей волны; В - индукция магнитного поля; U - потенциал; ( - плотность пространственного ...
Для образца, сделанного из полупроводника в форме параллелепипеда, это разность потенциалов определяется уравнением |Uy = R |ix Нz |10 - 8 в, |(2.6) ...


Туннелирование в микроэлектронике [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Туннелирование в микроэлектронике , Работа Курсовая ... должен производиться с учётом сил изображения, различия эффективных масс носителей заряда в металле и диэлектрике, а также с учётом пространственного ...
... 2 - с учётом пространственного заряда подвижных носителей; 3 - с учётом пространственного заряда на ловушках при большой их плотности. j, а/см2 1 10-1 ...