Похожие работы на «Строение и свойства вещества»

Строение и свойства вещества
Химия, Строение и свойства вещества, Курсовая ... а) б) =Ge====Ge====Ge= =Ge====Ge====Ge= =Ge====P=====Ge= =Ge====Al====Ge= =Ge====Ge====Ge= =Ge====Ge====Ge= Рис.3 Примесная проводимость: а) n-типа; б ...
... образовании 4-х ковалентных связей с атомами Ge образуется дефицит одного электрона в каждом узле кристаллической решётки, содержащей атом Аl (рис.3) ...


Химия радиоматериалов, лекции Кораблевой А.А. (ГУАП)
Химия, Химия радиоматериалов, лекции Кораблевой А.А. (ГУАП) , Лекции преподавательские ... которых содержится 1 электрон на валентном уровне, валентная зона на половину заполнена, а следовательно, внутри валентной зоны электрон может менять ...
... т.к. электроны между атомами обобществлены => есть предпосылки для проводимости, но электронная пара локализована между атомами, поэтому эти электроны ...


Полупроводниковые материалы в металлургии
Металлургия, Полупроводниковые материалы в металлургии, Реферат ... нагревании кристалла, когда энергия колебания атомов в кристаллической решётке может увеличиться настолько, что связи разрушатся и электроны смогут ...
... пятый, электрон удалён, атом сурьмы становится положительно заряженным ионом, имеющим четыре валентных электрона, как и все атомы кремния, т.е. ион ...


Полупроводники, р-n переход [нестрогое соответствие]
Физика, Полупроводники, р-n переход , Рефераты ... обозначают положительно заряженные атомные остатки (т. е. ту часть атома, которая остается после удаления валентных электронов), кружки со знаком ...
... если некоторые атомы данного полупроводника [pic] Рис.4 заменить в узлах кристаллической решетки атомами, валентность которых отличается на единицу от ...


Радиационные процессы в ионных кристаллах [нестрогое соответствие]
Физика, Радиационные процессы в ионных кристаллах, Реферат ... pic]c. распадаются на стабильные элементарные возбуждения (S ) При возбуждении кристалла медленными электронами и фотонами с энергией порядка ширины ...
... имеет кинетическую энергию Ек и массу m , а масса атома (иона) М ,то при парном лобовом соударении в не-релятивистском приближении смещаемый из узла ...


Алмазоподобные полупроводники [нестрогое соответствие]
Разное, Алмазоподобные полупроводники , Работа Курсовая ... твердый раствор, алмазоподобный полупроводник, кристаллическая структура , донорно-акцепторная связь, электронно-дырочный переход, инжекционная ...
... и ВV , а четвертая связь осуществляется неподеленной парой валентных электронов атомов ВV Образование этой связи соответствует энергетически выгодному ...


Химия [нестрогое соответствие]
Химия, Химия , Лекции ... и за счёт имеющихся в атоме неспаренных электронов атом азота образует три ковалентные связи, атом кислорода ( две, а атом фтора ( лишь одну связь.
... можно представить следующей схемой: [pic] Из восьми электронов внешнего электронного слоя атома азота шесть принимают участие в образовании трёх ...


Полупроводники [нестрогое соответствие]
Физика, Полупроводники, Реферат ... связи, схематически представленные на рис.1 . Такой идеальный полупроводник совершенно не проводит электрического тока (при отсутствии освещения и ...
... орбите остается пустое место-"дырка" при воздействии электрическим поле на кристалл "дырка " как положительный заряд перемещается в сторону вектора E, ...


Лекции по твердотельной электронике [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие ... зоны меньше, это сказывается в том что при нагреве материала в зону проводимости полупроводника попадает за счет тепловой энергии значительно больше ...
... четыре из них образуют связи с соседними атомами Si, пятый электрон связан только с атомом примеси и эта связь слабее остальных, поэтому при нагреве ...


Фуллерены [нестрогое соответствие]
Физика, Фуллерены , Работа Курсовая ... s^2p^2. Валентные электроны атома находятся на разных орбитах, отличающихся друг от друга распределением электронного облака в пространстве.
... n-типа; значения активационных энергий Еа температурной зависимости проводимости сигма = сигма exp (-Eа/kT) существенно ниже значений половины ...