Похожие работы на «Физические основы электроники»
Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения
Технология, Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения, Реферат
... меньше силы тока в эмиттере.При создании напряжения между эмиттером и базой основные носители полупроводника р-типа - дырки проникают в базу, гдр они ...
... подключения. - [pic]Рисунок 2 [pic] Рисунок 1 [pic]Рисунок 3 [pic]Рисунок 4 [pic] Рисунок 5 [pic] Рисунок 4 [pic] Рисунок 8 [pic] Рисунок 6
Полупроводниковые приборы
Радиоэлектроника, Полупроводниковые приборы, Реферат
... образом, из полупроводника nтипа в полупроводник p-типа диффундируют электроны, а в обратном направлении из полупроводника p-типа в полупроводник n- ...
... в приборах типа p-n-p - это дырки ,в приборах типа n-p-n -это электроны Полупроводниковая структура транзистора типов p-n-p и n-p-n Существуют три ...
Электронно-дырочный переход
Физика, Электронно-дырочный переход, Реферат
... существует градиент концентрации носителей заряда, вызывающий диффузионный ток: дырок из p-области в n-область и электронов из n-области в p-область.
... диффузионный ток в переходе, вызываемый градиентом концентрации носителей заряда, должен уравновешиваться встречным дрейфующим током, обусловленным ...
Транзисторы
Физика, Транзисторы, Курсовая
... к зоне p, где основными носителями заряда являются дырки, а отрицательный полюс - к зоне n, где основные носители заряда - электроны, под действием ...
... p - n - p) или обратной проводимости (n - p - n). Транзисторы, у которых используется только один основной носитель заряда, например, только дырки или ...
Лекции по твердотельной электронике
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие
... положительного заряда дырок в p базе приводит к приоткрыванию эмиттерного перехода pnp транзистора и инжекции электронов, заряд которых нейтрализует ...
... и электронные токи эмиттера и коллектора, ?p и ?n коэффициенты передачи тока соответственно для pnp и npn транзисторов, Iа, Iкат - токи анода и катода ...
Лекции по твердотельной электронике
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие
... в области высоких температур концентрация носителей заряда для легированных материалов стремится к концентрации носителей в собственном материале, т.е ...
... токами: дрейфовыми токами электронов и дырок, возникающими при наличии электрического поля и диффузионными токами электронов и дырок, возникающими в ...
Матричные фотоприемники
Радиоэлектроника, Матричные фотоприемники , Работа Курсовая
... внутреннего фотоэффекта, при котором в области p-nперехода полупроводника поглощаемый фотон образует пару новых носителей заряда - электрон и дырку.
... и германия равна 5*106 см/c). Толщина p-n перехода, зависящая от обратного напряжения и концентрации примесей в базе, обычно меньше 5 мкм, а значит (i ...
Электронные цепи и приборы (шпаргалка)
Радиоэлектроника, Электронные цепи и приборы (шпаргалка) , Шпаргалки
... q и -q своим эл. полем Е действуют ускоряюще на неосновные носители зарядов (электроны из робласти притягиваются к +q, а дырки из п-области к -q). В ...
... fГр при заданных напряжении Uкэ и токе эмиттера; статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h21Э при заданных напряжении Uкэ и Iэ; обратные токи ...
История развития электроники
Радиоэлектроника, История развития электроники , Лекции
... от количества носителей заряда транзисторы были разделены на: - униполярные (полевые), где использовались однополярные носители. - биполярные, где ...
Немного позднее, советский физик - Я.Н. Френкель создал теорию возбуждения в полупроводниках парных носителей заряда: электронов и дырок.
Физические основы электроники
Радиоэлектроника, Физические основы электроники, Лекция
... зарядов, равномерно распределенных по объему полупроводника, обогащение полупроводника электронами до концентрации np и дырками до концентрации pn ...
... обратное напряжение диода Uобр max ; - обратный ток Iобр при заданном обратном напряжении Uобр (значение обратного тока германиевых диодов на два
