Похожие работы на «Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника»

Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника
Коммуникации и связь, Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника, Реферат Диоды полупроводниковых ИМС реализуются на основе n-p-n транзисторов, причем их параметры зависят от схемы включения транзистора в качестве диода.
... реализации p-n-p транзисторов на одной подложке с основными n-p-n транзисторами, поймите отличия горизонтального и вертикального p-n-p транзисторов.


Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) , Работа Курсовая ... 1999 СОДЕРЖАНИЕ Введение 3 1. Описание схемы для разработки 3 2. Определение электрических параметров схемы 4 3. Технологические этапы изготовления ...
... N(x); зависимость подвижности носителей заряда от концентрации [pic]((N); 2)топологические параметры : длина резистора l; ширина резистора b. Первая ...


Транзисторы [нестрогое соответствие]
Физика, Транзисторы, Курсовая ... буквой [pic]: [pic] Так как ток базы в большинстве случаев в десятки - сотни раз меньше тока коллектора, то величина коэффициента усиления должна быть ...
... зон с различной проводимостью они могут быть прямой (p - n - p) или обратной проводимости (n - p - n). Транзисторы, у которых используется только один ...


Электротехника и основы электроники [нестрогое соответствие]
Разное, Электротехника и основы электроники , Пособие Методическое ... на поверхность диэлектрической подложки из стекла, керамики или ситалла, а активные элементы - навесные полупроводниковые приборы без корпусов (рис.
... сигнала примерно на 0,5 ( 0,6 В. Глубокая отрицательная обратная связь по току в схеме дифференциального каскада обусловливает то обстоятельство, что ...


Электронные цепи и приборы (шпаргалка) [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Электронные цепи и приборы (шпаргалка) , Шпаргалки ... переход - это граница раздела между двумя ПП с разным типом электропроводности - p и n. [pic] Мы знаем, в р-области дырок много, а в п-области их мало ...
... Iэб0 при заданных обратных напряжениях соответственно Uкб и Uэб; обратный ток коллекторного перехода IкэR при заданных напряжении Uкэ и сопротивлении ...


История развития электроники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, История развития электроники , Лекции ... 2N613(n-p-n), 2N869(p-n-p) Институт полупроводниковых материалов и оборудования (США) составил генеалогическое дерево и первые ветви отпочкованные от ...
... с частотой в десятки и сотни МГц появились значительно позже - это были транзисторы типа П401 - П403, которые положили начало применению нового ...


Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов [нестрогое соответствие]
Технология, Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов, Курсовая Скорость осаждения плёнок возрастает с увеличением P/S и приблизительно пропорционально квадрату P/S. Скорость травления, наоборот, уменьшается с ...
... Парфёнов "Технология микросхем" 6. В.А. Антонов "Технология производства электровакуумных и полупроводниковых приборов" 7. С.З. Нейштадт "Технология и ...


Полупроводниковые пластины. Методы их получения [нестрогое соответствие]
Технология, Полупроводниковые пластины. Методы их получения, Сочетание этих методов заложило основу планарной ( plane - плоскоcть ) технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (ИМС).
... n-р-n -типа Следует также учитывать, что при изготовлении этих приборов производят большое число сложных последовательных операций над одним и тем же ...


Тиристоры и некоторые другие ключевые приборы [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Тиристоры и некоторые другие ключевые приборы , Рефераты ... п-р-п, то очевидно, что коллектором этого условного транзистора должен быть электрод, к которому подводится положительное напряжение, а эмиттером ...
... I"э будет, очевидно, равен току эмиттера Iэ структуры р-п-р-п. Таким образом, получаем, что структура р-п-р-п представляет собой как бы два наложенных ...


Электронные и микроэлектронные приборы [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Электронные и микроэлектронные приборы , Рефераты ... от температуры процесса приведена в таблице 1. 2. Полупроводниковые резисторы Полупроводниковые резисторы - это резисторы, изготовленные на основе ...
... 0 они остаются закрытыми (IИС=0). Сопротивление перехода для Iи.п. велико, поэтому ток источника питания протекает через VT3 на выход схемы (контакт F ...