Похожие работы на «Лекции по твердотельной электронике »
Строение и свойства вещества
Химия, Строение и свойства вещества, Курсовая
... внешнего электрического поля электроны, перешедшие в зону проводимости, перемещаются к А(+), в валентной зоне электрон, находящийся рядом с дыркой ...
... типа происходит, если в кристалле Ge один из атомов замещен атомом Р, на внешнем энергетическом уровне которого находится 5 валентных электронов, 4 из ...
Полупроводники, р-n переход
Физика, Полупроводники, р-n переход , Рефераты
В р-области основными носителями тока являются дырки, образовавшиеся в результате захвата электронов атомами примеси (акцепторы при этом становятся ...
... примеси, заряд которых теперь не компенсируется дырками, и положительными ионами- донорной примеси, заряд которых теперь не компенсируется электронами ...
Расчет параметров ступенчатого p-n перехода (zip 860 kb)
Радиоэлектроника, Расчет параметров ступенчатого p-n перехода (zip 860 kb) , Работа Курсовая
... 1.1 Распределение примеси и носителей заряда в полупроводнике при изменении типа проводимости: (а) плавное изменение типа проводимости; (б) резкое ...
... дырок) в полупроводнике Na (Nd) - концентрация акцепторной (донорной) примеси. ni - собственная концентрация носителей заряда nn (np ) - концентрация ...
Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения
Технология, Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения, Реферат
... связи от каждого атома участвуют по одному валентному электрону, которые отщепляются от атомов (коллективизируются кристаллом) и при своем движении ...
... электрического поля возникает упорядоченное перемещение дырок, и, таким образом, к электрическому току свободных электронов добавляется электрический ...
Полупроводники
Физика, Полупроводники, Реферат
При потере электрона одним из атомов полупроводника на его орбите остается пустое место-"дырка" при воздействии электрическим поле на кристалл "дырка ...
... примесей, богатых электронами , например мышьяка или сурьмы , позволяет получить полупроводник с электронной проводимостью или полупроводник n - типа ...
Полупроводниковые материалы в металлургии
Металлургия, Полупроводниковые материалы в металлургии, Реферат
... создаваемая при этих условиях примесями, определяется только их концентрацией и для многих из них равна числу введенных в полупроводник атомов примеси ...
... больше донорных атомов в каждом кубическом сантиметре полупроводника, тем больше концентрация их превышает концентрацию дырок, и проводимость носит ...
Радиационные процессы в ионных кристаллах
Физика, Радиационные процессы в ионных кристаллах, Реферат
... с кристаллом в нем за время порядка ~[pic]c возникают электроны большой энергии ([pic] ); создающие в кристалле каскады вторичных электронов (рис.
При поглощении кристаллом кванта света достаточной энергии ([pic]) совершается переход электрона из валентной зоны в зону проводимости, возникает ...
Фоторезисторы
Радиоэлектроника, Фоторезисторы , Работа Курсовая
... e - заряд электрона; (n - подвижность электронов; (p - подвижность дырок; (ni - концентрация генерируемых электронов; (pi - концентрация генерируемых ...
... падает на кристалл и поглощается им, возбуждая при этом электроны в зону проводимости (или в полупроводниках p-типа - дырки в валентную зону) ...
Фоторезисторы
Радиоэлектроника, Фоторезисторы , Диссертация и связанное с ней Автореферат
... e - заряд электрона; (n - подвижность электронов; (p - подвижность дырок; (ni - концентрация генерируемых электронов; (pi - концентрация генерируемых ...
... падает на кристалл и поглощается им, возбуждая при этом электроны в зону проводимости (или в полупроводниках p-типа - дырки в валентную зону) ...
Лекции по твердотельной электронике
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие
... концентрация электронов в зоне проводимости будет примерно равна концентрации донорных атомов: n ~ Nd+ ~ Nd (1.8) При этом концентрация электронов ...
... из зоны проводимости становится значительно больше концентрации введенной примеси (и соответственно концентрации носителей заряда полученных при ее ...
