Рефераты - Афоризмы - Словари
Русские, белорусские и английские сочинения
Русские и белорусские изложения
 

Похожие работы на «Определение параметров p-n перехода »


Определение параметров p-n перехода
Радиоэлектроника, Определение параметров p-n перехода , Работа Курсовая ... 4 | | |е) коэффициенты диффузий электронов и дырок |4 | | |ж) диффузионные длины электронов и дырок |4 | ... | |4. Расчет параметров p-n перехода |4 ...
... диффузий электронов и дырок | |[pic] | | | |[pic] | |ж) диффузионные длины электронов и дырок | |[pic] | |[pic] | | | |4. Расчет параметров p-n ...


Расчет параметров ступенчатого p-n перехода (zip 860 kb) [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчет параметров ступенчатого p-n перехода (zip 860 kb) , Работа Курсовая ... перехода Ls - дебаевская длина N - результирующая концентрация примеси n (p) - концентрация электронов (дырок) в полупроводнике n0 (p0) - равновесная ...
... в n (р) области nno (npo) - равновесная концентрация электронов в n (р) области NЭ (NБ) - абсолютная величина результирующей примеси в эмиттере (базе) ...


Электроника [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Электроника , Шпаргалки ... Ge" При Т=0К При Т>0К электроны (заряд -q)отрываются образуют свободные заряды ( на его месте образуется дырка (заряд +q) это называется процессом ...
... U I VD Uст=Uн Cv Cp C L +Uупр "-" R U U I I 0,7В мВ p n p Э К -К -Э p n p Б Б IБ n-p-n +К +Э p n p -К +Э p n p +К -Э p n p +Б +Б -Б +Б -Б -Б -Б +Б


Лекции по твердотельной электронике [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие ... образуется за счет генерируемых теплом в области коллектора электронов (ток утечки, состоящий из неосновных носителей) - поток 2, не несет сигнала и ...
... коллекторного перехода) Неуправляемый ток коллекторного перехода Jко (Jкоб) имеет сильную зависимость от температуры, поэтому его часто называют ...


Лекции по твердотельной электронике [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие ... 0. Из уравнений (2.12) легко можно определить значения напряжения на pn переходе по значениям граничных концентраций: [pic] (2.13) Эти уравнения можно ...
... барьер при x = 0: [pic] (2.72) Аналогично, решая диффузионное уравнение для n области, можно получить плотность электронного тока (при этом все значки ...


Полупроводники, р-n переход [нестрогое соответствие]
Физика, Полупроводники, р-n переход , Рефераты ... образовавшиеся в результате захвата электронов атомами примеси (акцепторы при этом становятся отрицательными ионами); кроме того, в этой области ...
... между областями возникает двойной электрический слой, образованный отрицательными ионами акцепторной примеси, заряд которых теперь не компенсируется ...


Лекции по твердотельной электронике [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие ... положительного заряда дырок в p базе приводит к приоткрыванию эмиттерного перехода pnp транзистора и инжекции электронов, заряд которых нейтрализует ...
... Iкn = ?nIэp =?nIкат, где Iкp, Iэp, Iкn - соответственно управляемые дырочные и электронные токи эмиттера и коллектора, ?p и ?n коэффициенты передачи ...


Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов , Работа Курсовая ... эмитерного перехода; Дп, Др - коэффициенты диффузии электронов и дырок; Днб, Доб - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в базе; Днэ, ...
... перехода за счет не основных носителей заряда; ( - коэффициент передачи тока в схеме с общим эмитером; ( - коэффициент инжекции эмитера; бк - толщина ...


Лекции по твердотельной электронике [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие ... положительного заряда дырок в p базе приводит к приоткрыванию эмиттерного перехода pnp транзистора и инжекции электронов, заряд которых нейтрализует ...
... Iкn = ?nIэp =?nIкат, где Iкp, Iэp, Iкn - соответственно управляемые дырочные и электронные токи эмиттера и коллектора, ?p и ?n коэффициенты передачи ...


Транзисторы [нестрогое соответствие]
Физика, Транзисторы, Курсовая В том случае, когда положительный полюс напряжения приложен к зоне p, где основными носителями заряда являются дырки, а отрицательный полюс - к зоне n ...
... зон с различной проводимостью они могут быть прямой (p - n - p) или обратной проводимости (n - p - n). Транзисторы, у которых используется только один ...


ref.by 2006—2022
contextus@mail.ru