Похожие работы на «Свойства сплавов кремний-германий и перспективы Si1-xGex производства »

Свойства сплавов кремний-германий и перспективы Si1-xGex производства
Физика, Свойства сплавов кремний-германий и перспективы Si1-xGex производства , Рефераты ... сплавов при 300К |8 | | 1.5 Зонная структура сплавов Si и Ge |9 | |2. Области применения сплавов SiGe |10 | | 2.1 Приборы на основе сплавов SiGe и их ...
... в табл.1. Табл.1 Составы сплавов и их параметры. | | | | |Ширина | |Обозначение |Плотность |Постоянная |Мол % кремния|запрещённой | |сплава | |решётки ...


Технология получения монокристаллического Si [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Технология получения монокристаллического Si , Рефераты ... ТХС) |11 | |Очистка ТХС |13 | |Другие методы получения газовых соединений Si |15 | |Восстановление очищенного трихлорсилана |16 | |Получение ...
... может быть легко восстановлено; 3. очистка и восстановление соединения, получение кремния в виде поликристаллических стержней; 4. конечная очистка ...


Кристаллы в природе [нестрогое соответствие]
Физика, Кристаллы в природе, Реферат ... 1.3 Закон постоянства углов 7 1.4 О симметрии 8 1.5 Симметрия кристаллов 9 1.6 Пространственная решётка 10 1.7 Экспериментальное исследование строение ...
... 2.1 Природа сил связи в кристаллах 16 2.2 Структура кристаллов 17 2.3 Структура атомных кристаллов 18 2.4 Полиморфизм 19 2.5 Энергия связи молекул в ...


Кристаллы в природе [нестрогое соответствие]
Физика, Кристаллы в природе, Реферат ... 1.3 Закон постоянства углов 7 1.4 О симметрии 8 1.5 Симметрия кристаллов 9 1.6 Пространственная решётка 10 1.7 Экспериментальное исследование строение ...
... 2.1 Природа сил связи в кристаллах 16 2.2 Структура кристаллов 17 2.3 Структура атомных кристаллов 18 2.4 Полиморфизм 19 2.5 Энергия связи молекул в ...


Оптическая спектроскопия кристаллов галита с природной синей окраской [нестрогое соответствие]
Физика, Оптическая спектроскопия кристаллов галита с природной синей окраской , Диплом и связанное с ним ... куба, неправильных, изолированных друг от друга участков, каемок, пятен, извилистых полос и т.д. Сами окрашенные участки отличаются друг от друга ...
... энергия) будет соответствовать разности энергетических уровней иона в кристалле, происходит поглощение энергии света, сопровождающееся ослаблением его ...


Исследование горячеломкости литейных сплавов на основе систем Al-Si, Al-Cu, Al-Si-Cu [нестрогое соответствие]
Металлургия, Исследование горячеломкости литейных сплавов на основе систем Al-Si, Al-Cu, Al-Si-Cu, Диплом ... В95 |60 |74 |1.61 |1.73 | |Д16 |44 |86 |- |- | |Al c 0.7% Si |16 |47 |1.81 |1.88 | |Al c 3.5% Cu |58 |100 |- |- | Одновременно с горячеломкость ...
... Cu ПО ПОКАЗАНИЯМ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОБ Для оценки горячеломкости сплавов системы Al - Si были выбраны концентрации 0.25, 0.5,1.0, 1.5, 2.0, 3.0, 5.0 ...


Определение времени жизни носителей в высокоомном кремнии. Влияние времени жизни на параметры высоковольтных приборов на кремнии [нестрогое соответствие]
... времени жизни носителей в высокоомном кремнии. Влияние времени жизни на параметры высоковольтных приборов на кремнии , Диссертация и связанное с ней ... ... 2 Максимально допустимые обьемные времена жизни неосновных носителей для разных полупроводников и образцов , (сек. |Материал |Тип А |Тип B |Тип C | |p ...
... А |Тип B |Тип C | |p-тип германий |0,03230 |0.00813 |0.00215 | |n-тип германий |0.01575 |0.00396 |0,00105 | |n-тип кремний |0,01120 |0,00282 |0,00075 ...


Лекции по твердотельной электронике [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие ... т.е. как локализованные (привязанные к атомам), так и "свободные" (способные перемещаться по кристаллу) электроны находятся в определенных квантовых ...
... Eg, эВ при T = 0K |1,17 |0,74 |1,52 | |Ширина запрещенной зоны, Eg, эВ при T = |1,11 |0,66 |1,43 | |300K | | | | |Температурный коэффициент ? = dE/dT* ...


Кристаллы и их свойства [нестрогое соответствие]
Физика, Кристаллы и их свойства, Реферат ... кинескопа телевизора (puc.5). В стеклянном баллоне располагается исследуемый кристалл металла в виде тончайшей иглы 1 диаметром около 10-5-10-6 см.
Большинство полупроводниковых электронных приборов изготовлено из кристаллов германия или кремния.


Электронные цепи и приборы (шпаргалка) [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Электронные цепи и приборы (шпаргалка) , Шпаргалки ВД изгот-ся из германия (Ge) и кремния (Si) с большим удельным R, причем Si является наиболее перспективным материалом.
... чем у германия, то для него электрическая форма пробоя перейдет в тепловую при больших значениях обратного I - отсюда целесообразность выполнения C из ...