Похожие работы на «Определение времени жизни носителей в высокоомном кремнии. Влияние времени жизни на параметры высоковольтных приборов на кремнии »

Определение времени жизни носителей в высокоомном кремнии. Влияние времени жизни на параметры высоковольтных приборов на кремнии
... времени жизни носителей в высокоомном кремнии. Влияние времени жизни на параметры высоковольтных приборов на кремнии , Диссертация и связанное с ней ... ... связана с инжекцией неосновных носителей, особенно для приборов, работающих в области высоких напряжений, врямя жизни носителей чрезвычайно важно для ...
... положительно заряженый дефект захватывает электрон из валентной зоны; такой дефект называется ловушкой захвата дырки; д)- захватив электрон из зоны ...


Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического восстановления от технологии его получения
Радиоэлектроника, Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического восстановления от технологии его ... ... p-p0 (1.2) Если в полупроводнике нет электрического тока, то изменение концентрации электронов и дырок, при внешнем воздействии, выглядит так: d(n/dt ...
... 7). Если известны положения всех уровней и известны коэффициенты захвата электронов и, соответственно, дырок для каждого уровня, то можно определить ...


Физика (лучшее)
Физика, Физика (лучшее) , Шпаргалки ... возникает электрическое поле, под действием которого свободные заряды (носители тока) приходят в упорядоченное движение от положительного потенциала к ...
... обладает положительным зарядом, равным заряду электрона по абсолютной величине, так как в месте, покинутом электроном, будет недостаток электрона.


Оптроны и их применение
Физика, Оптроны и их применение, ... к полной (излучательной и безызлучательной) вероятности рекомбинации (или, иначе, отношением числа генерированных квантов к числу инжектированных за ...
... Полезной" компонентной тока, поддерживающей излучательную рекомбинацию в активной области диода, является ток электронов In (рис.2.2,а), инжектируемых ...


Лекции по твердотельной электронике [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие ... в валентную зону (см. верхний рисунок) На рисунке 13 показаны возможные процессы при взаимодействии носителей из разрешенных зон с ловушками: захват ...
... можно отнести и рассмотренные ранее токи проводимости токи (их иногда называют омическими), используя (1.56) для них можно записать: [pic] ( 1.57) ...


Транзисторы [нестрогое соответствие]
Физика, Транзисторы, Курсовая В том случае, когда положительный полюс напряжения приложен к зоне p, где основными носителями заряда являются дырки, а отрицательный полюс - к зоне n ...
... буквой [pic]: [pic] Так как ток базы в большинстве случаев в десятки - сотни раз меньше тока коллектора, то величина коэффициента усиления должна быть ...


Электрорадиоматериалы. Методические указания к лабораторным работам [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Электрорадиоматериалы. Методические указания к лабораторным работам , Пособие Методическое ... pic], (1.1) где mo = 9,109(10-31 кг, e = 1,602(10-19 Кл - масса покоя и заряд электрона; [pic]( 105 м/с - средняя скорость теплового движения ...
... П2 установить в положение "1". Подключить к схеме источник постоянного напряжения и регулируя его напряжение, установить по цифровому вольтметру V ...


Лекции по твердотельной электронике [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие ... в области ОПЗ коллектора начинается лавинное умножение неосновных носителей, что приводит к росту потоков электронов и дырок и их накопление в ...
... Iкn = ?nIэp =?nIкат, где Iкp, Iэp, Iкn - соответственно управляемые дырочные и электронные токи эмиттера и коллектора, ?p и ?n коэффициенты передачи ...


Физические основы электроники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Физические основы электроники, Лекция ... из соотношений: [pic]; (1.13) [pic]; (1.14) где dn(x)/dx, dp(x)/dx - градиенты концентраций электронов и дырок; Dn, Dp - коэффициенты диффузии ...
... базы в эмиттер), а Iэ рек - составляющая тока, вызванная рекомбинацией в переходе тех дырок и электронов, энергия которых недостаточна для преодоления ...


Матричные фотоприемники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Матричные фотоприемники , Работа Курсовая Если теперь осветить фотодиод, то возникшие носители (электроны и дырки) ускоряются в этом поле и движутся в n-слой (электроны) и в p-слой (дырки).
... 10-4 см/5?106 см/с=10-9 с, а время (д ,определяемое диффузией электронов из p-области или дырок из nобласти ((д > (I ) , не играет существенной роли.