Похожие работы на «Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов »

Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов
Радиоэлектроника, Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов , Работа Курсовая ... Nk, Nэ - концентрации примесей в базе, коллекторе и эмитере сплавного транзистора; Nб(х) - концентрация примеси, формирующей проводимость базы ...
... на коллекторе; Iэ - ток эмитера; Iб - ток базы; Iко - обратный ток коллектора при разомкнутом эмиттере; Ikmax - максимально допустимый ток коллектора; ...


Электронные цепи и приборы (шпаргалка)
Радиоэлектроника, Электронные цепи и приборы (шпаргалка) , Шпаргалки ... Iкб0, Iэб0 при заданных обратных напряжениях соответственно Uкб и Uэб; обратный ток коллекторного перехода IкэR при заданных напряжении Uкэ и ...
... на переходах Uкб max, Uэб max, максимально допустимое напряжение Uкэ max в схеме ОЭ при заданном сопротивлении Rбэ внешнего резистора, подключенного ...


Физические основы электроники
Радиоэлектроника, Физические основы электроники, Лекция ... точке базы (дырок n-р-n транзистора) приблизительно равна концентрации примесей в этой точке, то распределение примесей Na(х) одновременно будет и ...
3.14, б) и уменьшение напряжения UКЭ за счет увеличения падения напряжения на сопротивлении коллектора (рисунок 3.14, в). Если работа происходит на ...


Теория
Радиоэлектроника, Теория, Реферат ... передачи тока коллектора при инверсном включении транзистора ((i = 0,5(0,7); (NI1 ( ток экстракции через коллекторный переход ( ток носителей, ...
... 20 оС германиевый транзистор имел коэффициент передачи тока эмиттера h21 = 50, ток коллектора Iк = 100 мА, ток неосновных носителей Iкбо = 10 мкА, то ...


Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)
Радиоэлектроника, Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) , Работа Курсовая ... для последующих расчетов; для транзисторов - максимальный ток на коллекторном переходе, максимальный ток эмиттера,максимальное напряжение на переходе ...
... Кл; ( - подвижность носителей заряда, см2/В(с; W - глубина коллекторного p-n перехода, мкм; Для расчета принимаем Na0 = 8*1018 см-3 ; Nдк = 1016 см-3 ...


Транзисторы [нестрогое соответствие]
Физика, Транзисторы, Курсовая ... значит, что входным параметром является ток базы Iб, выходным - ток коллектора Iк, а коэффициент усиления по току для схемы с общим эмиттером равен: ...
... pic] модуль крутизны входной характеристики составляет 70 % от своего значения на низких частотах, поэтому в технической литературе можно встретить и ...


Лекции - преподаватель Григорьев Владимир Калистратович [нестрогое соответствие]
Схемотехника, Лекции - преподаватель Григорьев Владимир Калистратович, Лекция ... проходить из базы в эмиттер: это дрейфовый ток электронов (мал по сравнению с диффузионным), ток рекомбинации (мал, потому что мала толщина базы) и ...
Итак, у транзистора ток базы очень мал, поэтому ток эмиттера практически весь преобразуется в ток коллектора, и только небольшая часть его ...


Лекции по твердотельной электронике [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие ... ОБ), поэтому, учитывая (4_1) и (4_2) запишем: [pic] (3.3) Чем выше ? - коэффициент передачи эмиттерного тока в коллекторную цепь, тем выше усиление ...
... при измерениях предпочтительно во входной цепи осуществлять по переменному току режим холостого хода (сопротивление измерительной цепи на заданной ...


Лекции по твердотельной электронике [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие ... Iкn = ?nIэp =?nIкат, где Iкp, Iэp, Iкn - соответственно управляемые дырочные и электронные токи эмиттера и коллектора, ?p и ?n коэффициенты передачи ...
... IGBT должны быть такими же как у биполярного транзистора.Несмотря на то, что IGBT является единой монолитной кристаллической структурой, по существу ...


Разработка сенсоров поглощаемой мощности [нестрогое соответствие]
Технология, Разработка сенсоров поглощаемой мощности, Диссертация ... в инверсном активном режиме; Iк4 - ток утечек; (и, ( - соответственно инверсный и нормальный коэффициенты усиления тока в схеме с общим эмитттером; tк ...
... соответствующий прямому активному режиму биполярного транзистора; Iэ2 - переменная составляющая тока коллектора; Iэ3 - ток в инверсном активном режиме ...