Получение сверхчистых материалов для микроэлектроники
Физика, Получение сверхчистых материалов для микроэлектроники , Рефераты
... изучения их взаимодействия между собой и с германием, изменением свойств германия в зависимости от состава и т.п. Важнейшее место в этих исследованиях ...
Материалы высокой чистоты - 1978 Издательство " Наука " 4. Журнал " Физика и техника полупроводников " - 1997 - 8 5. Проблемы современной электроники ...
Полупроводниковые материалы в металлургии
[нестрогое соответствие]
Металлургия, Полупроводниковые материалы в металлургии, Реферат
1.Общие сведения 3 2.Металлургия германия и кремния 7 3.Применение полупроводников 3.1.Тепловые сопротивления (термисторы) 9 3.2.Фотосопротивления 11 ...
Важнейшей характеристикой, определяющей качество германия и кремния в технике полупроводниковых приборов, является величина ?, называемая временем ...
Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов
[нестрогое соответствие]
Технология, Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов, Курсовая
... прибор; позволять легко и надёжно выполнять электрическое соединение между полупроводниковым приборами печатной платы, на которую устанавливается ...
... приборов и интегральных микросхем" 4. В.А. Брук "Производство полупроводниковых приборов" 5. Парфёнов "Технология микросхем" 6. В.А. Антонов ...
Технология получения монокристаллического Si
[нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Технология получения монокристаллического Si , Рефераты
... ТХС) |11 | |Очистка ТХС |13 | |Другие методы получения газовых соединений Si |15 | |Восстановление очищенного трихлорсилана |16 | |Получение ...
... может быть легко восстановлено; 3. очистка и восстановление соединения, получение кремния в виде поликристаллических стержней; 4. конечная очистка ...
Полупроводниковые пластины. Методы их получения
[нестрогое соответствие]
Технология, Полупроводниковые пластины. Методы их получения,
... пластины, предназначенные для формирования изделий микроэлектроники, характеризуются сoвepшенной атомной структурой и высокой геометрической точностью ...
... при 50-1200° С. Рост оксида происходит на границе раздела оксид-кремний, следовательно, окислитель (кислород или молекулы воды) диффундирует сквозь ...
Полупроводниковые датчики температуры
[нестрогое соответствие]
Схемотехника, Полупроводниковые датчики температуры, Реферат
... Влияние температуры на электрофизические параметры полупроводников в основном проявляются в изменении концентрации носителей заряда, что приводит к ...
... низких температур наиболее часто используется легированный германий, как хорошо изученный полупроводниковый материал, технология получения кристаллов ...
Свойства сплавов кремний-германий и перспективы Si1-xGex производства
[нестрогое соответствие]
Физика, Свойства сплавов кремний-германий и перспективы Si1-xGex производства , Рефераты
Часть 1. Свойства сплавов SiGe Фазовая диаграмма системы кремний-германий Кремний и германий являются химическими аналогами.
Они наблюдались в монокристаллах сплавов германия с 6 ат.% кремния, германия с 0.2 ат.% олова и германия с 0.2 ат.% бора, но никогда не были ...
Кремний
[нестрогое соответствие]
Химия, Кремний, Реферат
Энергия связи Si-Si мала, 176 кдж/моль (42 ккал/моль); в отличие от углерода, для К. не характерно образование длинных цепей и двойной связи между ...
... В связи с развитием полупроводниковой техники разработаны методы получения чистого и особо чистого К. Это требует предварительного синтеза чистейших ...
Фуллерены
[нестрогое соответствие]
Физика, Фуллерены , Работа Курсовая
... n-типа; значения активационных энергий Еа температурной зависимости проводимости сигма = сигма exp (-Eа/kT) существенно ниже значений половины ...
... а = а0 ехр(-Еа/kT), а в разупорядоченных материалах активационная энергия и претор проводимости связаны следующим соотношением: s0=s00exp(-Eа/kT0), s ...
Химия, элементы таблицы Менделеева
[нестрогое соответствие]
Химия, Химия, элементы таблицы Менделеева , Лекции
... по типу R R R R R R ( ... ( -Si-O-Si-O-Si-O- или -Si-O-Si-O-Si-O- ( ... ( R R R R O R ( полимерных молекул определяются в основном отношением числа ...
Si-Si Si-H Si-O Si-S Si-N Si-C Si-F Si-Cl Si-Br Si-I Длина, пм .