Похожие работы на «Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) »

Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)
Радиоэлектроника, Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) , Работа Курсовая ... R1 - R4 |4,7 кОм (20% | |2 |R5 |3,3 кОм (20% | |3 |C1 - C4 |20 пФ (20% Uраб = 4 В, диэлектрик - SiO2 | |4 |T1 - T4 |Типовый транзистор монолитных ИС, ...
смотреть на рефераты похожие на "Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)


Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) , Работа Курсовая ... схемы работают либо в режиме отсечки (на входе - "0", на выходе - "1", транзистор закрыт) либо в режиме насыщения (на входе - "1", на выходе - "0" ...
смотреть на рефераты похожие на "Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)


Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника [нестрогое соответствие]
Коммуникации и связь, Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника, Реферат ... системный подход к применению в аппаратуре средств микроэлектроники, а в прикладном смысле - метод создания аппаратуры, при котором все ее узлы, блоки ...
... регистры и т.д. Таким образом, гибридные ИМС представляют собой не только функциональные узлы (усилители, звенья фильтров и т.д.), но и целые блоки ...


История развития электроники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, История развития электроники , Лекции ... явилось знаменательной вехой в истории развития электроники и поэтому его авторы Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли были удостоины ...
Такие транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник называются МДП-транзисторы.


Сверхбольшие интегральные схемы [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Сверхбольшие интегральные схемы , Работа Курсовая ... как малые размеры и масса, а затем развитие техники ИС, позволяющей скомпоновать на поверхности кристалла значительное количество элементов, включая ...
... признакам: степень интеграции (логическая емкость); архитектура функционального преобразователя; организация внутренней структуры СБИС и структуры ...


Разработка генератора сигналов на цифровых микросхемах [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Разработка генератора сигналов на цифровых микросхемах, Диплом ... мА I*Б Тогда UБНАС = U*БЭ - jт ln - = 0,765 В IБНАС Напряжение на входе, обеспечивающее границу насыщения транзистора, определим из соотношения UВХ5/ ...
... Uвых)2 = - = 6,324 В ; 1/Rк+Краз/R1 (IБЭ)2=0,01 Iкнас/bmin= 3,9 мкА ; I*Б (UБЭ)2=U*БЭ - jт ln - = 0,645 В (IБ)2 Напряжение на входе, обеспечивающее ...


Транзисторы [нестрогое соответствие]
Физика, Транзисторы, Курсовая ... то есть для правильного выбора типа транзистора, грамотного расчёта схем, выбора оптимального теплового и электрического режимов, необходимо ...
... с электронной проводимостью, а средняя - полупроводником с дырочной проводимостью, и транзистор типа p - n - p, когда крайние области являются ...


Печатные платы [нестрогое соответствие]
Технология, Печатные платы, Реферат По типу применяемых активных элементов (транзисторов) интегральные схемы делятся на ИС на биполярных транзисторах (биполярных структурах) и ИС на МДП- ...
... 3 Изготовление биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией Диэлектрическая изоляция обеспечивает лучшие параметры ИМС. а) Изоляция пленкой диэлектрика ...


Разработка технологического процесса сборки и монтажа печатной платы "Пульт ДУ" [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Разработка технологического процесса сборки и монтажа печатной платы "Пульт ДУ" , Работа Курсовая ... ВЫМ 1.240.008 | |Автомат с ПУ для установки и пайки ИС |ПИЖМ 442.212.001-01 | |Установка автоматической очистки ячеек |ВЫМ 1.240.007 | ... | СТО№6 ...
... пластмассовом корпусе типа КТ 13 |КП34.05.00.00 | |2 Автомат установки транзисторов в | | |пластмассовом корпусе типа КТ 13 |КП34.02.00.00 | Таблица ...


Расчет неинвертирующего усилителя [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчет неинвертирующего усилителя, Курсовая ... интегральной схемой - ИС) называют функционально законченный электронный узел (модуль), элементы и соединения в котором конструктивно неразделимы и ...
В качестве активных элементов в полупроводниковых микросхемах используются униполярные (полевые) транзисторы со структурой "металл - диэлектрик (оксид ...