Похожие работы на «Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического восстановления от технологии его получения »

Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического восстановления от технологии его получения
Радиоэлектроника, Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического восстановления от технологии его ... ... d(n/dt = Gn-(n/(n d(p/dt = Gp-(p/(p (1.5) Стационарные концентрации неравновесных носителей заряда, устанавливающиеся после длительного воздействия ...
... pP(m(M-m) (3.2) dp/dt= k(I-(pmp+(p(M-m)P(m (3.3) Для полноты системы уравнений: (n+(m=(p (3.4) В стационарном случае имеем: dm/dt=0 (n[n(M-m)-mNcm]=(p


Лекции по твердотельной электронике
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие ... что между концентрацией носителей заряда и положением уровня Ферми в образце существует однозначное соответствие: [pic] Зная концентрацию носителей мы ...
... в области высоких температур концентрация носителей заряда для легированных материалов стремится к концентрации носителей в собственном материале, т.е ...


Определение времени жизни носителей в высокоомном кремнии. Влияние времени жизни на параметры высоковольтных приборов на кремнии [нестрогое соответствие]
... времени жизни носителей в высокоомном кремнии. Влияние времени жизни на параметры высоковольтных приборов на кремнии , Диссертация и связанное с ней ... ... применяемых при измерениях. |Тип образца |Длина, мм |Ширина, мм |Высота, мм | |A |15,0 |2,5 |2,5 | |B |25,0 |5,0 |5,0 | |C |25,0 |10,0 |10,0 | Таблица ...
... 0.00215 | |n-тип германий |0.01575 |0.00396 |0,00105 | |n-тип кремний |0,01120 |0,00282 |0,00075 | |р-тип кремний |0,00420 |0,00105 |0,00028 | После ...


Полимерные электреты [нестрогое соответствие]
Физика, Полимерные электреты , Работа Курсовая ... которых превышает равновесное при данной температуре значение В полупроводниках и диэлектриках при температурах, отличных от ОК, в состоянии ...
... E(x,t)+q?n(x,t)E(x,t). (62) В нашей задаче мы пренебрегаем неравновесной проводимостью, поскольку носители прочно удерживаются ловушками и не способны ...


Физические основы электроники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Физические основы электроники, Лекция ... 1.5), (1.7) и (1.8) можно записать следующее выражение: [pic] (1.10) которое показывает, что введение в полупроводник примесей приводит к увеличению ...
... и т. д. В этом случае энергия возбудителя передается непосредственно носителям заряда и тепловая энергия кристаллической решетки остается практически ...


Фотоэлектрические свойства нитрида алюминия [нестрогое соответствие]
Физика, Фотоэлектрические свойства нитрида алюминия , Диплом и связанное с ним Зная удельную проводимость материала и подвижность носителей заряда, можно рассчитать концентрацию носителей заряда в образце. [pic], где n ...
... из значения фотопроводимости образца и подвижности носителей заряда: [pic], где ?св - фотопроводимость образца, ?n - подвижность носителей заряда в ...


Расчет параметров ступенчатого p-n перехода (zip 860 kb) [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчет параметров ступенчатого p-n перехода (zip 860 kb) , Работа Курсовая ... n-область) jngup0 (jpgup0) - плотность диффузионного тока, текущего через p-n-переход из n-области (p-области) в p-область (n-область) jz0 - плотность ...
... в n (р) области nno (npo) - равновесная концентрация электронов в n (р) области NЭ (NБ) - абсолютная величина результирующей примеси в эмиттере (базе) ...


Электронные цепи и приборы (шпаргалка) [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Электронные цепи и приборы (шпаргалка) , Шпаргалки ... из робласти притягиваются к +q, а дырки из п-области к -q). В результате неосновные носители под действием эл. поля Е легко перейдут ч/з р-п переход и ...
... т.к. примесные атомы ионизированы уже при комнатной t. Количество неосновных носителей заряда определяется t и поэтому ход обратной ветви ВАХ сильно ...


Матричные фотоприемники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Матричные фотоприемники , Работа Курсовая ... электрические сигналы за счет явления внутреннего фотоэффекта, при котором в области p-nперехода полупроводника поглощаемый фотон образует пару новых ...
... и германия равна 5*106 см/c). Толщина p-n перехода, зависящая от обратного напряжения и концентрации примесей в базе, обычно меньше 5 мкм, а значит (i ...


Алмазоподобные полупроводники [нестрогое соответствие]
Разное, Алмазоподобные полупроводники , Работа Курсовая ... твердый раствор, алмазоподобный полупроводник, кристаллическая структура , донорно-акцепторная связь, электронно-дырочный переход, инжекционная ...
... поскольку от их природы и концентрации зависит время жизни неравновесных носителей заряда, а оно, в свою очередь, определяет фоточувствительность и ...