Похожие работы на «Лекции - преподаватель Григорьев Владимир Калистратович»

Лекции - преподаватель Григорьев Владимир Калистратович
Схемотехника, Лекции - преподаватель Григорьев Владимир Калистратович, Лекция Значит, толщина, на которую нужно провести диффузию, как минимум 250 мкм, толщина базы 1...5 мкм, и её надо сделать точно (с точностью не хуже 1 мкм).
... мы можем создать тонкий слой диоксида кремния (на кремнии, полупроводнике), затем нанести очень тонкий слой фоторезиста, далее через фотошаблон ...


История развития электроники
Радиоэлектроника, История развития электроники , Лекции ... стороне слюдяной пластины находится сигнальная пластина (5), представляющая собой миниатюрный фотокатод, излучающий свободные электроны под действием ...
... баллона видикона наносится полупрозрачный слой золота, исполняющего роль сигнальной пластины (9). На этот слой наносится фоторезист (8) - это ...


Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) , Работа Курсовая ... и создание изолированных карманов; Разделительная диффузия проводится в две стадии: первая (загонка) -при температуре 1100-1150 °С, вторая (разгонка) ...
... и фотолитографии повторяются, после чего проводится двухстадийная диффузия бора: первая при температуре 950-1000 °С, вторая при температуре 1150-1200 ...


Транзисторы [нестрогое соответствие]
Физика, Транзисторы, Курсовая ... то есть для правильного выбора типа транзистора, грамотного расчёта схем, выбора оптимального теплового и электрического режимов, необходимо ...
... исходный материал, из которого изготовлен прибор: германий или его соединения - Г; кремний или его соединения - К; соединения галлия - А. Для ...


Технологические основы электроники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Технологические основы электроники, Реферат ... по контуру будущих элементов; г - глубокое окисление кремния; д - стравливание нитрида кремния и окисление поверхности; е-готовая структура после ...
... исключают возможность многократного образования окиси кремния за счет термического окисления, так как толщина слоя SiO2, необходимого для защиты при ...


Печатные платы [нестрогое соответствие]
Технология, Печатные платы, Реферат ... горизонтальных участков и диэлектриком - вертикальных боковых областей. а) Изопланарные процессы основаны на использовании кремниевых пластин с тонким ...
... б) - локальная диффузия в эпитаксиальный слой; в) - общая диффузия на одной из поверхностей пластин; г) - двойная диффузия: общая (р-слой) и локальная ...


Расчет неинвертирующего усилителя [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчет неинвертирующего усилителя, Курсовая ... же коллекторный); 4 - разделительный слой; 5 - базовый слой; 6 - эмиттерный слой; 7 - изолирующий слой с контактными окнами; 8 - слой металлизации; 9 ...
... равной площади кристалла, то тепловой, поток через слой однороден и тепловое сопротивление слоя R [К/Вт]=h/(? s), где ? - коэффициент теплопроводности ...


Микропроцессоры и микроЭВМ [нестрогое соответствие]
Программирование и комп-ры, Микропроцессоры и микроЭВМ , Рефераты ... ее поверхности, покрытия ее пленкой окислов - SiO2, являющейся прекрасным изолятором и защитой поверхности пластины при литографии. [pic] Дальше на ...
... получается изображение кристалла в масштабе 1:1. Затем пластина сдвигается, экспонируется следующий кристалл и так далее, пока не обработаются все


Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов , Работа Курсовая ... основных и основных носителей в базе; Днэ, Доэ - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в эмиттере; Е - напряженность электрического
... в собственном полупроводнике; nn, np - равновесные концентрации электронов в полупроводниках n - типа и p - типа; Р - мощность, рассеиваемая в ...


Полупроводниковые пластины. Методы их получения [нестрогое соответствие]
Технология, Полупроводниковые пластины. Методы их получения, ... схема изготовления n-р-n-эпитаксиально-планарного кремниевого транзистора: а - исходная эпитаксиальая структура, б - структура с защитной оксидной ...
... их геометрической формы после резки Несмотря нате что глубина нарушенного слоя после шлифования примерно такая же, как и после резки,следует указать ...