Похожие работы на «Вакуумное напыление»

Вакуумное напыление
Технология, Вакуумное напыление, Реферат ... и покрытий методом испарения и конденсации в вакууме состоит из двух этапов: испарения вещества в вакууме и последующей конденсации паров на подложке.
... испарителя (тигля) с учётом физико-химических свойств испаряемого вещества, а также возможных взаимодействий испаряемого вещества с испарителем.


Физические свойства вакуумно-плазменных покрытий для режущего инструмента
Технология, Физические свойства вакуумно-плазменных покрытий для режущего инструмента , Работа Курсовая ... по толщине покрытий на подложке большей площади - высокая адгезия пленок Сущность МТИ состоит в том, что в специальных испарителях вещество нагревают ...
... получения тонких пленок металлов, вводя в камеру реакционный газ Основные преимущества МТИ в следующем: - возможность нанесения пленок металлов (в том ...


Конструирование микросхем и микропроцессоров
Программирование и комп-ры, Конструирование микросхем и микропроцессоров, ... пленок в технологии ГИМС являются: термическое испарение в вакууме, катодное, ионно-плазменное и магнетронное распыления. [pic] Термическое испарение ...
... тонких пленок а) - термическое испарение в вакууме; б) - катодное распыление; в) - ионно-плазменное распыление; 1 - колпак; 2 - нагреватель подложки; ...


Коррозия и защита металлов [нестрогое соответствие]
Химия, Коррозия и защита металлов, Реферат ... силицирование и т. д. Оно осуществляется диффузионным путем из газовой фазы, содержащей пары или летучие соединения легирующего компонента, или ...
... краски тонким слоем на зачищенную до блеска поверхность металла масло быстро окисляется кислородом воздуха и затвердевает, образуя на поверхности ...


Тонкопленочные элементы интегральных схем [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Тонкопленочные элементы интегральных схем, Курсовая ... от друга островков, то в зависимости от того, какая энергия связи больше: между материалом пленки и материалом загрязнения или же между материалом ...
... в том числе тугоплавких) и перекристаллизацию пленок; микрофрезерование пленок; микросварку и микропайку с целью подсоединения выводов ИС, а также ...


Расчет неинвертирующего усилителя [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчет неинвертирующего усилителя, Курсовая ... которой может быть размещен трафарет; 7 - герметизирующая прокладка из вакуумной резины; 8 - испаритель с размещённым в нём веществом и нагревателем ...
... t°ис, давлением воздуха в рабочей камере P0, температурой нагрева подложек t°п. Температура нагрева вещества в испарителе (t°ис) должна обеспечивать ...


Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов [нестрогое соответствие]
Технология, Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов, Курсовая ... сушке при температуре 1500С в течение 8-10 ч. Технологический процесс нанесение вазелина проводиться в скафандрах в атмосфере осушенного азота.
... кремния в различных условиях описывается выражением: hm=kt, где h - толщина плёнки; t - время; k- константа, определяемая давлением и температурой; m- ...


Коррозия металлов - проблема химии? [нестрогое соответствие]
Химия, Коррозия металлов - проблема химии? , Рефераты ... 8. Ингибиторы 4. Применение противокоррозионных защитных покрытий 5. Заключение 6. Список использованной литературы ВВЕДЕНИЕ Понятие коррозии Термин ...
... из наиболее распространенных способов защиты металлов от коррозии является нанесение на их поверхность защитных пленок: лака, краски, эмали, других ...


Технологические основы электроники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Технологические основы электроники, Реферат ... 8 - коллектор; 9 - заслонка В данном случае карусель подложек и масок имеет восемь позиций и может непрерывно вращаться со скоростью 40-150 об/мин.
... т. е. без изменения исходного состава; 3) осаждать окисные, нитридные и другие пленки за счет химического взаимодействия распыляемого материала с ...


Способы нанесения тонких пленок [нестрогое соответствие]
Технология, Способы нанесения тонких пленок , Работа Курсовая На подложке создаются наиболее благоприятные условия для конденсации паров, хотя частично конденсация паров и на стенках колпака.
... от ряда факторов (температура нагревателя, температура подложки, расстояние от испарителя до подложки, тип напыляемого материала и др.) лежит в ...