Похожие работы на «Теория»
Транзисторы
Физика, Транзисторы, Курсовая
... на базу транзистора типа p - n - p подают отрицательное напряжение относительно эмиттера, а коллектор смещают в обратном направлении подачей ...
... зон с различной проводимостью они могут быть прямой (p - n - p) или обратной проводимости (n - p - n). Транзисторы, у которых используется только один ...
Электроника
Радиоэлектроника, Электроника , Шпаргалки
... прибор с 2-мя и более переходами и с 3-мя и более выводами Различают транзисторы проводимости: n-p-n, p-n-p Режимы работы БТ 1.)Отсечка - оба перехода ...
... U I VD Uст=Uн Cv Cp C L +Uупр "-" R U U I I 0,7В мВ p n p Э К -К -Э p n p Б Б IБ n-p-n +К +Э p n p -К +Э p n p +К -Э p n p +Б +Б -Б +Б -Б -Б -Б +Б
Электротехника и основы электроники
Разное, Электротехника и основы электроники , Пособие Методическое
... напряжение смещение ЕСМ, а а переключение тока IО генерато-ра тока с транзистора VT1 на транзистор VT2 происходит за счет подачи на базу транзистора ...
... обусловливает то обстоятельство, что коллекторный ток каждого из транзисторов не может превысить ток генератора тока в эмиттерной цепи транзисторов.
Электронные цепи и приборы (шпаргалка)
Радиоэлектроника, Электронные цепи и приборы (шпаргалка) , Шпаргалки
... требования: а) малый обратный ток I0; б) большое обратное напряжение; в) большой прямой ток; г) малое падение напряжения при протекании прямого тока.
... ОЭ h21Э при заданных напряжении Uкэ и Iэ; обратные токи переходов Iкб0, Iэб0 при заданных обратных напряжениях соответственно Uкб и Uэб; обратный ток ...
Физические основы действия современных компьютеров
Физика, Физические основы действия современных компьютеров , Работа Курсовая
При работе в p-n переходе может наблюдаться его пробой при обратном напряжении, т.к. при росте обратного напряжения растет напряженность внутреннего ...
... где Ri - внутренне сопротивление, (Uc - изменение напряжения на стоке, (Ic - изменение тока стока при постоянном напряжении на затворе. [pic] при Iс= ...
Физические основы действия современных компьютеров
Программирование и комп-ры, Физические основы действия современных компьютеров , Работа Курсовая
При работе в p-n переходе может наблюдаться его пробой при обратном напряжении, т.к. при росте обратного напряжения растет напряженность внутреннего ...
... где Ri - внутренне сопротивление, (Uc - изменение напряжения на стоке, (Ic - изменение тока стока при постоянном напряжении на затворе. [pic] при Iс= ...
Разработка для контроля и определения типа логических интегральных микросхем методом сигнатурного анализа
Радиоэлектроника, Разработка для контроля и определения типа логических интегральных микросхем методом сигнатурного анализа , Диплом и связанное с ним
... ЦАП управления напряжением - 256 Разрядность ЦАП управления потребляемым током - 256 Точность измерения потребляемого микросхемой тока - (1мА Время 1- ...
... Время установления выходного тока |5 мкс | |Среднее значение входного тока по цифровым входам |1 мкА | |Выходной ток при опорном напряжении 10В |2 мА ...
Матричные фотоприемники
Радиоэлектроника, Матричные фотоприемники , Работа Курсовая
Диод p-n-типа при наличии обратного смещения, созданного внешней электрической цепью создает обедненную область, в которой отсутствуют носители и ...
... и германия равна 5*106 см/c). Толщина p-n перехода, зависящая от обратного напряжения и концентрации примесей в базе, обычно меньше 5 мкм, а значит (i ...
Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника
Коммуникации и связь, Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника, Реферат
Диоды полупроводниковых ИМС реализуются на основе n-p-n транзисторов, причем их параметры зависят от схемы включения транзистора в качестве диода.
... реализации p-n-p транзисторов на одной подложке с основными n-p-n транзисторами, поймите отличия горизонтального и вертикального p-n-p транзисторов.
Теория
Радиоэлектроника, Теория, Реферат
... напряжение источника входного сигнала; Uвх ( напряжение на входе усилителя; Uвых ( напряжение на выходе усилителя; Uос ( напряжение обратной связи на ...
... при максимально допустимом напряжении между этими электродами): [pic] Входное сопротивление канального транзистора определяется обратным током
