Похожие работы на «Тонкопленочные элементы интегральных схем»

Тонкопленочные элементы интегральных схем
Радиоэлектроника, Тонкопленочные элементы интегральных схем, Курсовая ... и интегральных схем 3. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок Подложки Тонкопленочные резисторы Тонкопленочные конденсаторы Пленки тантала и его ...
... при температуре около 500°С; низкая точка плавления в эвтектике систем алюминий - кремний около 577°С; большое различие (в 6 раз) коэффициентов ...


Расчет тонкопленочного конденсатора [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчет тонкопленочного конденсатора, Курсовая ... выбираются в соответствии со степенью интеграции ИС, их материалы - в соответствии с требованиями, предъявляемыми к электрическим, механическим и ...
... разрывов и т.п. Высокая механическая прочность облегчает механическую обработку подложек (для получения требуемой формы и размеров и создания в них ...


Электронные и микроэлектронные приборы [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Электронные и микроэлектронные приборы , Рефераты Термическое окисление кремния Слой двуокиси кремния формируется обычно на кремниевой пластине за счет химического взаимодействия в приповерхностной ...
... пластина должна быть разогрета до 600 - 650 С, а пленок нитрида кремния до 750 - 800 С. Таким образом, если нагрев пластин до указанных температур по ...


Расчет неинвертирующего усилителя [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчет неинвертирующего усилителя, Курсовая ... же коллекторный); 4 - разделительный слой; 5 - базовый слой; 6 - эмиттерный слой; 7 - изолирующий слой с контактными окнами; 8 - слой металлизации; 9 ...
... а также кристаллов и других компонентов на подложках зависит от выбора материала присоединительного слоя - клея, стекла, припоя и т. д. В свою очередь ...


Печатные платы [нестрогое соответствие]
Технология, Печатные платы, Реферат ... являются совмещенные интегральные схемы, в которых транзисторы изготовляются в активном слое кремния, а пленочные резисторы и диоды - как и проводники ...
... биполярных ИМС с комбинированной изоляцией В основу изготовления полупроводниковых биполярных ИМС с комбинированной изоляцией положены процессы, ...


ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ, Курсовая ... окна фоторезистивной маски, наличие значительного разрастания элементов в случае тонкого слоя фоторезиста, искажение профиля проводников при травлении ...
... можно доводить до заданного номинала с высокой точностью, изменяя толщину слоя нитрида тантала в результате формирования на его поверхности пятиокиси ...


Плёночные и гибридные интегральные схемы [нестрогое соответствие]
Математика, Плёночные и гибридные интегральные схемы, Реферат При изготовлении пленочных резисторов на подложку наносят резистивные пленки.
... соединений, а также независимость принципа действия тонкоплёночных элементов от кремния, так как вместо изоляции p-n переходом используют более ...


Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) , Работа Курсовая ... диффузия; эпитаксия; ионное легирование, металлизация Элементы биполярных интегральных структур создаются в едином технологическом цикле на общей ...
В дальнейшем диффузия проходит из слоя жидкого стекла Одновременно слой стекла защищает поверхность кремния от испарения и попадания посторонних ...


Гальванотехника и ее применение в микроэлектронике [нестрогое соответствие]
Технология, Гальванотехника и ее применение в микроэлектронике , Рефераты Во всех анодных процессах происходит либо растворение металла, либо превращение поверхностного слоя металла в оксидный или другой слой.
... тока и времени осаждения: d = (gIt/(Sп; где ( - выход металла по току, g - электрохимический эквивалент, I - ток, протекающий через электролит, t ...


Технологические основы электроники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Технологические основы электроники, Реферат ... по контуру будущих элементов; г - глубокое окисление кремния; д - стравливание нитрида кремния и окисление поверхности; е-готовая структура после ...
... маски с островков; д - маскирование островков с помощью SiO2; е - избирательное покрытие фосфорсиликатным стеклом (ФСС) р-островков и общее покрытие ...