Похожие работы на «Моделирование процессов ионной имплантации»

Моделирование процессов ионной имплантации
Химия, Моделирование процессов ионной имплантации, Курсовая ... Пирсона с 4 параметрами и распределению Гаусса, и измеренные профили при ионной имплантации бора в кремний без проведения отжига приведены на рис.
... а межузельные атомы кремния могут вытеснять атомы бора из ее узлов, что приведет к быстрой диффузии комплексов межузельный атом кремния - атом бора.


Технологические основы электроники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Технологические основы электроники, Реферат ... по контуру будущих элементов; г - глубокое окисление кремния; д - стравливание нитрида кремния и окисление поверхности; е-готовая структура после ...
5): [pic] Рис.5 Профили распределения электрически активных атомов бора при различных энергиях ионного пучка [pic] (1) где Q - доза легирования [см-2] ...


Вторично-ионная масса спектрометрия [нестрогое соответствие]
Физика, Вторично-ионная масса спектрометрия, ... 1). Процесс обратного рассеяния обычно приводит к отклонению траектории иона от первоначального направления после столкновения и к обмену энергией ...
... в толще образца (3). Если соударяющиеся с поверхностью образца ионы передают настолько большой импульс, что полностью освобождают от связей один или ...


Печатные платы [нестрогое соответствие]
Технология, Печатные платы, Реферат ... добавить пары галоидных соединений бора (BBr3) или фосфора (PCl3), то эпитаксиальный слой будет иметь уже не собственную, а примесную проводимость, ...
... в исходную пластину n-типа можно во время первой диффузии внедрить акцепторную примесь и получить р-слой, а затем во время второй диффузии внедрить в ...


Ионный источник Кауфмана [нестрогое соответствие]
Технология, Ионный источник Кауфмана, Реферат ... поверхностная ионизация), исследовательских установках применяют источники с ионизацией атомов на разогретой поверхности твердых тел и т.д. Однако
... для производства СБИС и ССИС характеризуются широким диапазоном параметров: масса легирующих примесей 1 - 250 а.е.м. ток ионного пучка 10-9-5*10-2 А ...


Метод ВИМС [нестрогое соответствие]
Технология, Метод ВИМС, ... 1). Процесс обратного рассеяния обычно приводит к отклонению траектории иона от первоначального направления после столкновения и к обмену энергией ...
... в толще образца (3). Если соударяющиеся с поверхностью образца ионы передают настолько большой импульс, что полностью освобождают от связей один или ...


Полупроводниковые пластины. Методы их получения [нестрогое соответствие]
Технология, Полупроводниковые пластины. Методы их получения, ... который проводят при 400-700°С. Внедренные и смещенные атомы при этих температурах приобретают подвижность, достаточную для перехода в вакантные узлы ...
Изменяя пара метры ионного пучка, можно управлять профилем распределения концентрации внедренных ионов и с высокой точностью изменять концентрацию ...


Жидкостное химическое травление [нестрогое соответствие]
Разное, Жидкостное химическое травление , Рефераты 1). Слои оксидов кремния можно выращивать термически, наносить химическим способом или распылением, можно также легировать их фосфором или бором.
... образом, свой собственный анод. и ионы Мn+ притягиваются к нему, формируя двойной электрический слой (слой Гельмгольца). разность потенциалов в нем ...


Жидкостное химическое травление [нестрогое соответствие]
Химия, Жидкостное химическое травление, 1). Слои оксидов кремния можно выращивать термически, наносить химическим способом или распылением, можно также легировать их фосфором или бором.
... образом, свой собственный анод. и ионы Мn+ притягиваются к нему, формируя двойной электрический слой (слой Гельмгольца). разность потенциалов в нем ...


Литография высокого разрешения в технологии полупроводников [нестрогое соответствие]
Технология, Литография высокого разрешения в технологии полупроводников, ... 0.1-0.2 мкм; в) использование электронных пучков с энергией 50-100 кэВ; г) обработка верхнего слоя резиста (толщиной 100 нм), в котором сформировано ...
... В, Р. Главным достоинством ионных пучков по сравнению с электронными является малое обратное рассеяние и, следовательно, минимальный эффект близости.