Похожие работы на «Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании»

Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Химия, Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании, ... 22 | |1.3.3|Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины | | | |(диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с ...
... растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии 30мин... |28 | |1.4.2|Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности | | | |пластины ...


Технология получения монокристаллического Si [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Технология получения монокристаллического Si , Рефераты ... Получения трихлорсилана (ТХС) |11 | |Очистка ТХС |13 | |Другие методы получения газовых соединений Si |15 | |Восстановление очищенного трихлорсилана ...
... в виде поликристаллических стержней; 4. конечная очистка кремния методом кристаллизации; 5. выращивание легированных монокристаллов [pic] Основные ...


Печатные платы [нестрогое соответствие]
Технология, Печатные платы, Реферат ... на меньшую глубину) донорную примесь и тем самым обеспечить трехслойную структуру (рис 10 г). 5.3 Ионное легирование Основной особенностью ионного ...
... а) - локальная диффузия в пластину; б) - локальная диффузия в эпитаксиальный слой; в) - общая диффузия на одной из поверхностей пластин; г) - двойная ...


Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин [нестрогое соответствие]
Химия, Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин, Реферат ... в электрической дуге между графитовыми электродами, содержит около 1% примесей и как полупроводник не может быть использован; он является исходным ...
... реагента, зависящий от природы и энергии активации молекул реагента; [pic] и [pic] - концентрация реагента в объеме и на поверхности; [pic] - толщина ...


Свойства сплавов кремний-германий и перспективы Si1-xGex производства [нестрогое соответствие]
Физика, Свойства сплавов кремний-германий и перспективы Si1-xGex производства , Рефераты ... сплавов при 300К |8 | | 1.5 Зонная структура сплавов Si и Ge |9 | |2. Области применения сплавов SiGe |10 | | 2.1 Приборы на основе сплавов SiGe и их ...
... растворов Si1-xGex были выращены методом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки" [9] - "Твёрдые растворы Si1-xGex были выращены методом ЖФЭ на ...


Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок [нестрогое соответствие]
Разное, Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок , Работа Курсовая Зонная плавка электрически рафинированного индия позволяет осуществлять дальнейшую очистку его от примесей.
... независимой регулировки исходных компонентов, что обеспечивает возможность получения эпитаксиальных слоев с любым заданным профилем распределения ...


Технология эпитаксиальных пленок InAs [нестрогое соответствие]
Технология, Технология эпитаксиальных пленок InAs, Зонная плавка электрически рафинированного индия позволяет осуществлять дальнейшую очистку его от примесей.
... независимой регулировки исходных компонентов, что обеспечивает возможность получения эпитаксиальных слоев с любым заданным профилем распределения ...


Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок [нестрогое соответствие]
Технология, Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок, Зонная плавка электрически рафинированного индия позволяет осуществлять дальнейшую очистку его от примесей.
... независимой регулировки исходных компонентов, что обеспечивает возможность получения эпитаксиальных слоев с любым заданным профилем распределения ...


Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6 [нестрогое соответствие]
Технология, Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6, Курсовая ... в объеме монокристалла от условий выращивания; 4) влияние примесей на возникновение в монокристаллах различных структурных несовершенств, а также
Метод градиентной зонной плавки применяют для перекристаллизации заранее синтезированных поликристаллических слитков в монокристаллы и как метод ...


Кремний [нестрогое соответствие]
Химия, Кремний, Реферат Чтобы получить чистыми кремний, его очищают от примесей зонной плавкой аналогично тому, как получают чистый титан.
Кремния галогениды Кремния галогениды, соединения кремния с галогенами.