Похожие работы на «Электронно-дырочный переход»
Электронно-дырочный переход
Физика, Электронно-дырочный переход, Реферат
... дырочной(nn>np), на границе электронной и дырочной областей существует градиент концентрации носителей заряда, вызывающий диффузионный ток: дырок из p ...
... концентрации носителей заряда, должен уравновешиваться встречным дрейфующим током, обусловленным напряженностью собственного электрического поля E в ...
Транзисторы
Физика, Транзисторы, Курсовая
... полупроводниками с электронной проводимостью, а средняя - полупроводником с дырочной проводимостью, и транзистор типа p - n - p, когда крайние области ...
... прямой (p - n - p) или обратной проводимости (n - p - n). Транзисторы, у которых используется только один основной носитель заряда, например, только ...
Лекции по твердотельной электронике
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие
3.3 а. для p-n-p транзистора вклад в управляемый ток коллектора дают инжектированные эмиттером дырки - поток 1. Электронный ток коллектора, который ...
... 31) Откуда, положив x = 0 найдем дырочную составляющую тока эмиттера, и, положив x = w дырочную составляющую тока коллектора. [pic] (3.32) [pic] (3.33 ...
Лекции по твердотельной электронике
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие
... не только диодов, но и других биполярных приборов, поскольку именно электронно-дырочный переход позволяет управлять потоками носителей заряда в ...
... носителей заряда на границе, либо значение инжекционного тока (тока неосновных носителей заряда) на границе при напряжении на заданном электронно- ...
Учебная практика по специальности ТО и ремонт РЭА
Радиоэлектроника, Учебная практика по специальности ТО и ремонт РЭА , Практические занятия и отчеты
Полупроводниковым диодом называют электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющим два вывода.
... незначительным, так как обратное напряжение, приложенное к диоду омметром, мало по сравнению с тем обратным напряжением, на которое диод рассчитан.
Электронные цепи и приборы (шпаргалка)
Радиоэлектроника, Электронные цепи и приборы (шпаргалка) , Шпаргалки
... ся тепловые колебания решетки, уменьш-ся длина свободного пробега носителей заряда и для того, чтобы носитель заряда приобрел энергию достаточную для ...
... fГр при заданных напряжении Uкэ и токе эмиттера; статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h21Э при заданных напряжении Uкэ и Iэ; обратные токи ...
Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника
Коммуникации и связь, Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника, Реферат
Методические указания по разделам курса Раздел 1. Полупроводниковые приборы 1 Электрические свойства полупроводников (1(, с. 29-42; В этом пункте ...
... реализации p-n-p транзисторов на одной подложке с основными n-p-n транзисторами, поймите отличия горизонтального и вертикального p-n-p транзисторов.
Физические основы электроники
Радиоэлектроника, Физические основы электроники, Лекция
... зависимость зарядной емкости от приложенного к p-n переходу обратного напряжения выражается формулой [pic], где C0 - емкость p-n перехода при UОБР = 0 ...
... обратное напряжение диода Uобр max ; - обратный ток Iобр при заданном обратном напряжении Uобр (значение обратного тока германиевых диодов на два
Физические основы действия современных компьютеров
Программирование и комп-ры, Физические основы действия современных компьютеров , Работа Курсовая
При работе в p-n переходе может наблюдаться его пробой при обратном напряжении, т.к. при росте обратного напряжения растет напряженность внутреннего ...
... объемных зарядов и электрического поля в обедненном слое придает pn переходу свойства электрической емкости ( т.н. барьерная емкость p-n перехода) ...
Физические основы действия современных компьютеров
Физика, Физические основы действия современных компьютеров , Работа Курсовая
При работе в p-n переходе может наблюдаться его пробой при обратном напряжении, т.к. при росте обратного напряжения растет напряженность внутреннего ...
... объемных зарядов и электрического поля в обедненном слое придает pn переходу свойства электрической емкости ( т.н. барьерная емкость p-n перехода) ...
