Похожие работы на «Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения»
Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения
Технология, Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения, Реферат
... При создании напряжения между эмиттером и базой основные носители полупроводника р-типа - дырки проникают в базу, гдр они являютс уже леосновными ...
... подключения. - [pic]Рисунок 2 [pic] Рисунок 1 [pic]Рисунок 3 [pic]Рисунок 4 [pic] Рисунок 5 [pic] Рисунок 4 [pic] Рисунок 8 [pic] Рисунок 6
Транзисторы
Физика, Транзисторы, Курсовая
... крайние области являются полупроводниками с электронной проводимостью, а средняя - полупроводником с дырочной проводимостью, и транзистор типа p - n ...
... проводимости (n - p - n). Транзисторы, у которых используется только один основной носитель заряда, например, только дырки или только электроны, ...
Полупроводниковые приборы
Радиоэлектроника, Полупроводниковые приборы, Реферат
... образом, из полупроводника nтипа в полупроводник p-типа диффундируют электроны, а в обратном направлении из полупроводника p-типа в полупроводник n- ...
... типа n-p-n функции всех трех слоев и их названия аналогичны, изменяется лишь тип носителей заряда, проходящий через базу: в приборах типа p-n-p - это ...
Лекции по твердотельной электронике
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие
... p и ?n коэффициенты передачи тока соответственно для pnp и npn транзисторов, Iа, Iкат - токи анода и катода (в рассматриваемом случае Iа = Iкат = I) ...
... показанной на следующем рисунке. , как видно из схемы, коллекторный ток биполярного транзистора Т2 поступает на вход биполярного транзистора Т3, и ...
Электронно-дырочный переход
Физика, Электронно-дырочный переход, Реферат
... детекторы были вытеснены электронными лампами и лишь в начале 50 - х годов с открытием транзисторов (США 1949 год) началось широкое применение ...
... градиент концентрации заряда, вызывающий диффузию дырок и электронов, и обусловленный им градиент потенциала собственного электрического поля du/dx=-E ...
Лекции по твердотельной электронике
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие
... больше электронов, чем в зону проводимости изолятора и проводимость полупроводника может быть на несколько порядков выше чем проводимость изолятора, ...
... токами: дрейфовыми токами электронов и дырок, возникающими при наличии электрического поля и диффузионными токами электронов и дырок, возникающими в ...
Электронные цепи и приборы (шпаргалка)
Радиоэлектроника, Электронные цепи и приборы (шпаргалка) , Шпаргалки
Возвращение возбужденных электронов из зоны проводимости в валентную зону, в рез. которого пара носителей заряда электрон-дырка исчезает, называют ...
... q и -q своим эл. полем Е действуют ускоряюще на неосновные носители зарядов (электроны из робласти притягиваются к +q, а дырки из п-области к -q). В ...
История развития электроники
Радиоэлектроника, История развития электроники , Лекции
... на: - униполярные (полевые), где использовались однополярные носители. - биполярные, где использовались разнополярные носители(электроны и дырки) ...
... на том факте, что в твердом теле дискретные энергетические уровни электронов отдельных атомов размываются в непрерывные зоны, разделенные запрещенными ...
Физические основы электроники
Радиоэлектроника, Физические основы электроники, Лекция
... выпрямительные диоды, являются (рисунок 2.1): - максимальный прямой ток Iпр max; - падение напряжения на диоде при заданном значении прямого тока Iпр ...
... рисунок 4.4,а) и с встроенным каналом (рисунок 4.4,б). Если основой транзистора является кремний, то диэлектриком может быть слой окиси кремния, ...
Теория
Радиоэлектроника, Теория, Реферат
... тока коллектора при инверсном включении транзистора ((i = 0,5(0,7); (NI1 ( ток экстракции через коллекторный переход ( ток носителей, собираемых ...
... 10 мкА, то при изменении температуры с 20 оС до 70 оС у германиевого транзистора в схеме с ОБ произойдет увеличение тока Iкбо в 32 раза (1.5), то есть ...
