Похожие работы на «Фоторезисторы»

Фоторезисторы
Радиоэлектроника, Фоторезисторы , Диссертация и связанное с ней Автореферат ... и |4 | | |световой ток | | | |Характеристики фоторезисторов |5 | |2.1.2.|Параметры фоторезисторов |5 | | |Изготовление фоторезисторов |7 | |2.1.3. ...
... К0 = Iф / (ФU), (7) где Iф - фототок, равный разности токов, протекающих по фоторезистору в темноте и при определенной (200 лк) освещенности, мкА; Ф ...


Фоторезисторы
Радиоэлектроника, Фоторезисторы , Рефераты ФОТОРЕЗИСТОР (от фото... и резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор , омическое сопротивление которого определяется ...
... относительное изменение сопротивления, % - обычно лежит в пределах 10 - 99,9 %, [pic] , где : [pic] -сопротивление в темноте; [pic] -сопротивление в ...


Фоторезисторы
Технология, Фоторезисторы, ФОТОРЕЗИСТОР (от фото... и резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор , омическое сопротивление которого определяется ...
... относительное изменение сопротивления, % - обычно лежит в пределах 10 - 99,9 %, [pic] , где : [pic] -сопротивление в темноте; [pic] -сопротивление в ...


Фоторезисторы [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Фоторезисторы , Работа Курсовая ... Iт = E / (Rт + Rн), (4) где Е - э. д. с. источника питания; Rт - величина электрического сопротивления фоторезистора в темноте, называемая темновым ...
... К0 = Iф / (ФU), (7) где Iф - фототок, равный разности токов, протекающих по фоторезистору в темноте и при определенной (200 лк) освещенности, мкА; Ф ...


Матричные фотоприемники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Матричные фотоприемники , Работа Курсовая ... Iт = E / (Rт + Rн), (4) где Е - э. д. с. источника питания; Rт - величина электрического сопротивления фоторезистора в темноте, называемая темновым ...
... К0 = Iф / (ФU), (7) где Iф - фототок, равный разности токов, протекающих по фоторезистору в темноте и при определенной (200 лк) освещенности, мкА; Ф ...


Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов [нестрогое соответствие]
Технология, Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов, Курсовая ... быть механически прочными, выдержать определённые ударные нагрузки, вибрацию и ускорение, а так же обладать термостойкостью в диапазоне от -60 до +150 ...
... приборов и интегральных микросхем" 4. В.А. Брук "Производство полупроводниковых приборов" 5. Парфёнов "Технология микросхем" 6. В.А. Антонов ...


Электрорадиоматериалы. Методические указания к лабораторным работам [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Электрорадиоматериалы. Методические указания к лабораторным работам , Пособие Методическое ... R1-R4, изготовленные из меди, константана, манганина и нихрома, металлопленочный резистор МЛТ-1 (R5) и термопары ТП1-ТП3 помещаются в термостат 1 с ...
... или ширина запрещенной зоны (для собственных полупроводников), k - постоянная Больцмана. постоянная В =(Э/k носит название коэффициент температурной ...


Узлы функциональной электроники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Узлы функциональной электроники, Лекция ... LR - паразитная индуктивность (зависит от конструкции резистора); CR - паразитная емкость; RИЗ - сопротивление изоляции (оно обычно учитывается у ...
... rL; Реальные значения Q - (20(600). rL = r0 + Rq + RC + RCL + Rd r0 - омическое сопротивление катушки; Rq - сопротивление потерь на вихревые токи; RC ...


Контроль качества сгорания топлива в методических нагревательных печах [нестрогое соответствие]
Металлургия, Контроль качества сгорания топлива в методических нагревательных печах , Работа Курсовая ... напряжение +U . Последовательно включенное с измерительным фоторезистором 5 сопротивление 20 нагрузки и последовательно включенный с опорным ...
При уменьшении температуры окружающей среды постоянное напряжение на опорном резисторе 19 и сопротивлении нагрузки 20 уменьшается из-за увеличения ...


Полупроводниковые датчики температуры [нестрогое соответствие]
Схемотехника, Полупроводниковые датчики температуры, Реферат ... Влияние температуры на электрофизические параметры полупроводников в основном проявляются в изменении концентрации носителей заряда, что приводит к ...
... СТ1), медно-марганцевые (ММТ и СТ2), медно-кобальтовые (СТ3 и СТ4) и титано-бариевые, имеющие малый допуск по сопротивлению и ТКС (позисторы СТ5 и СТ6 ...