Похожие работы на «Лазеры на гетеропереходах \полупроводниковые лазеры»

Лазеры на гетеропереходах \полупроводниковые лазеры
Технология, Лазеры на гетеропереходах \полупроводниковые лазеры, Поэтому переход электрона из зоны проводимости в валентную зону с последующей рекомбинацией приводит к излучению, лежащему в относительно широком ...
... являются переходы зона проводимости - валентная зона, сопровождающиеся рекомбинацией электронно-дырочных пар и испусканием электромагнитного излучения ...


Лазеры
Физика, Лазеры , Рефераты Поэтому переход электрона из зоны проводимости в валентную зону с последующей рекомбинацией приводит к излучению, лежащему в относительно широком ...
... являются переходы зона проводимости - валентная зона, сопровождающиеся рекомбинацией электронно-дырочных пар и испусканием электромагнитного излучения ...


Физика (лучшее)
Физика, Физика (лучшее) , Шпаргалки ... небольшое количество электронов около контакта перейдёт из полупроводника n-типа в полупроводник р-типа, где произойдёт их рекомбинация с дырками.
... n-типа, а плюс - с полупроводником р-типа, то под действием внешнего электрического поля электроны и дырки проходят границу раздела полупроводников и ...


Анализ погрешностей волоконно-оптического гироскопа
Радиоэлектроника, Анализ погрешностей волоконно-оптического гироскопа , Диплом и связанное с ним ... электронов в зоне проводимости существенно превышает число дырок в валентной зоне (это характерно для полупроводника n-типа, для полупроводника р-типа ...
При переходах электронов из зоны проводимости в валентную зону возникает индуцированное излучение, т. е. процесс индуцированного перехода ...


Лазеры [нестрогое соответствие]
Физика, Лазеры, Реферат Мезина Ольга Олеговна Краснодар, 2000 Содержание. |Введение |3 | |Лазеры |5 | |Индуцированное излучение |5 | |Лазеры |6 | |Свойства лазерного ...
... Зоны Проводимости Е-заполнение Электроны Езапрещение Дырки Енезаполнение Валентная зона Рис.8. Схема энергетических уровней полупроводникового лазера.


Фоторезисторы [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Фоторезисторы , Диссертация и связанное с ней Автореферат ... величину (( = e ((n (ni + (p (pi), (1) где e - заряд электрона; (n - подвижность электронов; (p - подвижность дырок; (ni - концентрация генерируемых ...
... т.е. междузонный переход, то энергия кванта света фотона должна удовлетворять условию h(кр ( (W, (2) где h - постоянная Планка; (W - ширина ...


Фоторезисторы [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Фоторезисторы , Работа Курсовая ... величину (( = e ((n (ni + (p (pi), (1) где e - заряд электрона; (n - подвижность электронов; (p - подвижность дырок; (ni - концентрация генерируемых ...
... т.е. междузонный переход, то энергия кванта света фотона должна удовлетворять условию h(кр ( (W, (2) где h - постоянная Планка; (W - ширина ...


Лекции по твердотельной электронике [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие ... зоны меньше, это сказывается в том что при нагреве материала в зону проводимости полупроводника попадает за счет тепловой энергии значительно больше ...
... как такое взаимодействие электрона и дырки, в результате которого свободный электрон возвращается из зоны проводимости в валентную зону, а энергия ...


Физические основы работы лазерного принтера [нестрогое соответствие]
Физика, Физические основы работы лазерного принтера , Рефераты ... и газах Типы лазеров: . твердотельные лазеры с оптической накачкой; . газовые лазеры; . химические лазеры; . полупроводниковые лазеры; . лазеры на ...
... в которых электронов больше, чем дырок, называются полупроводниками n-типа, а полупроводники, в которых больше дырок, - полупроводниками p-типа.


Полупроводниковые материалы в металлургии [нестрогое соответствие]
Металлургия, Полупроводниковые материалы в металлургии, Реферат Каждый атом донорной примеси вносит один электрон проводимости, следовательно, чем больше донорных атомов в каждом кубическом сантиметре ...
... и акцепторной примесей в кристалле проводимость будет обеспечиваться, как и в собственном полупроводнике, электронами и дырками за счёт разрыва ...