Похожие работы на «Технология эпитаксиальных пленок InAs»

Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок
Разное, Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок , Работа Курсовая ... параметров решеток арсенида индия и арсенида галлия 7.4% приводит при получении гетероэпитаксиальных пленок арсенида индия и арсенида галлия методами ...
... трехокиси мышьяка с соляной кислотой; . очистку трихлорида мышьяка ректификацией; . восстановление очищенного трихлорида мышьяка водородом до ...


Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок
Технология, Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок, ... параметров решеток арсенида индия и арсенида галлия 7.4% приводит при получении гетероэпитаксиальных пленок арсенида индия и арсенида галлия методами ...
... трехокиси мышьяка с соляной кислотой; . очистку трихлорида мышьяка ректификацией; . восстановление очищенного трихлорида мышьяка водородом до ...


Технология эпитаксиальных пленок InAs
Технология, Технология эпитаксиальных пленок InAs, ... параметров решеток арсенида индия и арсенида галлия 7.4% приводит при получении гетероэпитаксиальных пленок арсенида индия и арсенида галлия методами ...
... трехокиси мышьяка с соляной кислотой; . очистку трихлорида мышьяка ректификацией; . восстановление очищенного трихлорида мышьяка водородом до ...


Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов
Технология, Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов, Курсовая ... в вакууме при температуре 300 С в ткчение15 минут образуется стеклообразная плёнка толщиной 1 мкм, на поверхности которой разложением этилокремниевой ...
... 1)*Si(OcnH2n+1), где n= 1,2,3,4. При нанесение плёнок стекла на окислые слои толщиной менее 200нм возможно проникновение ионов из стекла через окисный ...


Полупроводниковые пластины. Методы их получения [нестрогое соответствие]
Технология, Полупроводниковые пластины. Методы их получения, ... а - исходная эпитаксиальая структура, б - структура с защитной оксидной пленкой, в - фотолитография и диффузия базы, г - окисление, фотолитография и ...
... и атомы легирующего элементa, то на границе раздела пленка - подложка можно получить p-n-переход или изотопные переходы n + -n и р + -р. Таким образом ...


Печатные платы [нестрогое соответствие]
Технология, Печатные платы, Реферат В этом транзисторе подложкой является кремний р-типа; на ней созданы эпитаксиальный n-слой и так называемый скрытый n+- cлoй.
... рис 16) состоит из двух этапов: изготовления эпитаксиальной структуры со скрытыми n+-областями (а-в) и изготовления биполярной ИМС на этой структуре ...


Использование альтернативных источников энергии [нестрогое соответствие]
Химия, Использование альтернативных источников энергии, Реферат ... существенной части энергии солнечного света в пределах толщины слоя; . генерируемые при освещении электроны и дырки должны эффективно собираться на ...
... Pt, Rh, Pd), которая обуславливает образование области положительного объемного заряда (обедненного слоя) в а-Si:Н. При нанесении аморфного кремния на ...


Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6 [нестрогое соответствие]
Технология, Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6, Курсовая ... к стабилизации и регулировке температур и большой длительности процессов , то выращивание эпитаксиальных пленок представляет большой интерес.
... примерно 1050° С; при разложении же иодидов кремния мопокристаллические пленки получаются при температуре 850-900° С. Микроморфология поверхности ...


Расчет неинвертирующего усилителя [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчет неинвертирующего усилителя, Курсовая ... 2 - открытый слой; 3- эпитаксиальный слой (он же коллекторный); 4 - разделительный слой; 5 - базовый слой; 6 - эмиттерный слой; 7 - изолирующий слой с ...
... равной площади кристалла, то тепловой, поток через слой однороден и тепловое сопротивление слоя R [К/Вт]=h/(? s), где ? - коэффициент теплопроводности ...


Явление политипизма и методы получения различных политипов в SiC [нестрогое соответствие]
Физика, Явление политипизма и методы получения различных политипов в SiC, Реферат ... же SiC (?-SiC) в температурном интервале 1200-1800° С. В качестве подложек для эпитаксиального осаждения ?-SiC из газовой фазы используются ...
... параллельно главной габитусной плоскости (-1-1-1) подложки и осаждаемого слоя) и в несколько меньшей степени - второго порядка, звездообразные холмики ...