Похожие работы на «Полупроводниковые пластины. Методы их получения»

Полупроводниковые пластины. Методы их получения
Технология, Полупроводниковые пластины. Методы их получения, ... также надежность крепления. § 7. Шлифование пластин свободным и связанным абразивом Основным назначением шлифования полупроводниковых пластин является ...
... постоянной скорости обработки. § 8. Способы доводки полупроводниковых пластин полированием Полирование полупроводниковых пластин производят для ...


Печатные платы
Технология, Печатные платы, Реферат ... головки позволяет поворачивать слиток и устанавливать его относительно плоскости отрезного круга так, чтобы получить пластины с заданной ориентацией ...
3.1 Шлифовка Под шлифованием понимают процесс обработки поверхностей заготовок на твердых дисках - шлифовальниках из чугуна, стали, латуни, стекла и ...


Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин [нестрогое соответствие]
Химия, Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин, Реферат ... ИМС применяют в основном полупроводниковые монокристаллические подложки (полупроводниковые пластины), а для пленочных и гибридных ИМС - аморфные ...
... является одним из важнейших этапов производства ИМС и включает в себя следующие операции: ориентацию слитков по кристаллографическим осям, резку ...


Расчет неинвертирующего усилителя [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчет неинвертирующего усилителя, Курсовая ... же коллекторный); 4 - разделительный слой; 5 - базовый слой; 6 - эмиттерный слой; 7 - изолирующий слой с контактными окнами; 8 - слой металлизации; 9 ...
... равной площади кристалла, то тепловой, поток через слой однороден и тепловое сопротивление слоя R [К/Вт]=h/(? s), где ? - коэффициент теплопроводности ...


Технологические основы электроники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Технологические основы электроники, Реферат ... формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией: а - исходная пластина; б - избирательное травление окисла, глубокое ...
... по контуру будущих элементов; г - глубокое окисление кремния; д - стравливание нитрида кремния и окисление поверхности; е-готовая структура после ...


Оборудование для ориентации полупроводниковых пластин [нестрогое соответствие]
Технология, Оборудование для ориентации полупроводниковых пластин , Рефераты ... относительно неё и выведение поверхности отрезаемых от слитка пластин в заданную плоскость с точностью, как правило, не более 1( (для некоторых типов ...
... 1973 г. 2. Николаев И.М. "Оборудование и технология производства полупроводниковых приборов", 1977 г. 3. Масленников П.Н., Лаврентьев К.А., Гингис А.Д ...


Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов [нестрогое соответствие]
Технология, Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов, Курсовая ... минимальные размеры; обеспечивать чистоту среды, окружающей полупроводниковый прибор; позволять легко и надёжно выполнять электрическое соединение ...
... и интегральных микросхем" 4. В.А. Брук "Производство полупроводниковых приборов" 5. Парфёнов "Технология микросхем" 6. В.А. Антонов "Технология ...


Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем , Работа Курсовая ... доцент Шумарин Виктор Пракофьевич Саратов 2000 г. СБОРКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ Особенности процесса сборки Сборка ...
... основания корпуса должна иметь золотое покрытие в виде тонкой пленки, а поверхность полупроводникового кристалла может не иметь золотого покрытия (для ...


Алмазные инструменты в машиностроении [нестрогое соответствие]
Технология, Алмазные инструменты в машиностроении , Рефераты ... Обозначение дано по ГОСТ 24747-81, в скобках дано старое обозначение кругов) Таблица 3 Круги шлифовальные алмазные |Наименование и обозначение|Форма ...
... в оправах; ограненные | |изделий сложных контуров |алмазы | |Фасонное шлифование вреза-нием |Алмазы в оправах; | |изделий конической и сферической ...


Электронные и микроэлектронные приборы [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Электронные и микроэлектронные приборы , Рефераты Термическое окисление кремния Слой двуокиси кремния формируется обычно на кремниевой пластине за счет химического взаимодействия в приповерхностной ...
... до 750 - 800 С. Таким образом, если нагрев пластин до указанных температур по каким-либо причинам нежелателен, то возникают определенные трудности.