Похожие работы на «Лабораторные по проектированию РЭС»

Лабораторные по проектированию РЭС
Радиоэлектроника, Лабораторные по проектированию РЭС, Контрольная ... квадрата контактной площадки: а=0,25 мм; минимальное допустимое расстояние между пленочными элементами: d1=0,1 мм; минимальная ширина пленочного ...
... подложки и типа корпуса |Анализ | Проектирование посадочного места навесного элемента (НЭ) Исходные данные: l=2 мм, длина навесного элемента; c=0,4 мм ...


Расчет неинвертирующего усилителя [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчет неинвертирующего усилителя, Курсовая Геометрические размеры соответствуют корпусу типа 210.14-8. D = 19.5 мм, E = 7.4 мм, A2 = 5 мм, L + A = 10 мм. е = 2.5 мм.
... и других компонентов на подложках зависит от выбора материала присоединительного слоя - клея, стекла, припоя и т. д. В свою очередь, материал ...


Основы конструирования: Проектирование привода общего назначения содержащего цепную передачу [нестрогое соответствие]
Технология, Основы конструирования: Проектирование привода общего назначения содержащего цепную передачу , Работа Курсовая ... Zш ( i Геометрические параметры: dд ш = m ( Z1,мм dд к = m ( Z2 ,мм De ш = dд1 + 2m ,мм De к = dд2 + 2m ,мм Di ш = dд1 - 2.5 m ,мм Di к = dд2 - 2.5 m ...
... r x 45( D - Номинальный наружный диаметр 4 фаски цилиндрической поверхности наружного кольца, мм d - Номинальный диаметр отверстия внутреннего кольца, ...


Системное автоматизированное проектирование [нестрогое соответствие]
Программирование и комп-ры, Системное автоматизированное проектирование, Лекция ... применительно к типовым ячейкам БИС); - функционально-логическое проектирование (синтез комбинационных схем, реализация памяти, синтез контролирующих ...
... документации и переход к следующему этапу проектирования Рис.2. Схема типового маршрута проектирования СТРУКТУРА САПР Подсистемы САПР проектирующих ...


Разработка высоковольтного драйвера газоразрядного экрана на полиимидном носителе [нестрогое соответствие]
Технология, Разработка высоковольтного драйвера газоразрядного экрана на полиимидном носителе, ... с помощью перемычки или непосредственно); во-вторых, для коммутации контактных площадок кристалла ИМС или периферийных контактов гибридных микросхем и ...
... сильное влияние внутренних механических напряжений из-за разницы ТКЛР кристалла и подложки, трудности измерения и электротермотоковой тренировки ...


Разработка устройства Видеопорт [нестрогое соответствие]
Технология, Разработка устройства Видеопорт, Курсовая ... для металлизированного отверстия D = Dмо + ?Dво + 2*bн + ?tво + бd + бр + ?tно, где Dмо = 0.8 мм (расчет выше) (диаметр монтажного отверстия) ?Dво = 0 ...
... расположения проводника относительно номинального положения) L = 1.5 + 0.35 + 0.25*2 + 0.05 = 2.4 мм Так как полученное расстояние L = 2.4 < 2.5


Сверхбольшие интегральные схемы [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Сверхбольшие интегральные схемы , Работа Курсовая ... 17 5.3 Матричные процессоры.....................20 5.4 Автоматизация проектирования цифровых СБИС на базе матриц Вайнбергера и транзисторных матриц. ...
... может быть двухсторонним: матрицы транзисторов для проектирования микропроцессоров и матрицы микропроцессоров для проектировании процессорных систем.


ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ, Курсовая ... или охлаждении системы из-за жесткости конструкции могут возникнут внутренние напряжения в подложке и, как результат ее механическое разрушение или ...
... по формле: [pic] (11) где h - толщина подложки Значение индуктивности в форме круглой или квадратной спирали равно [pic] (12) где k - коэффициент (k ...


Проектирование режущего инструмента [нестрогое соответствие]
Технология, Проектирование режущего инструмента, ... L3=1(2 мм принимаем L3=1,5 мм; L4- длина обрабатываемой поверхности; L4= 60 мм; L5- выход инструмента; L5= 1(2 мм принимаем L5=1,5 мм; L= 3+4+1,5+60+1 ...
... lk - lвых - ? - lр, где lвsх - величина, характеризующая увеличение длины сверла для возможности свободного выхода стружки при полностью сточенном ...


Дифференциальный усилитель [нестрогое соответствие]
Технология, Дифференциальный усилитель, ... max(bтехн, bточн,bр), (b+(l/Кф Р bточн(-, bр=(-)^2. (0кф Р0*Кф За ширину резистора-b принимают ближайшее значение к bрасч, округлённое до целого числа ...
... условий (l+(b*Кф Р*Кф lрасч(max(lтехн,lточн,lр), lточн(-, lр=(-)^1/2. (0кф Р0 lточн2=0.736 мм, lр2=0.417 мм, значит l2=0.75 мм. bрасч=l/Кф, bрасч2=1. ...