Похожие работы на «Проектирование РЭС»

Проектирование РЭС
Радиоэлектроника, Проектирование РЭС, Курсовая ... ячейки, Lяч=80 мм Z1, Z2 - припуски размеров для обеспечения свободной входимости ячеек в блок, Z1=Z2=5 мм L=80+5+5=90 мм Масса конструкции блока ...
... и ширина ПП, м; Е - модуль упругости ПП, Н/м2; hnn - толщина ПП, м; V - величина линейного ускорения, м/с2; g - ускорение свободного падения, м/с2; mэ ...


Проектирование РЭС
Радиоэлектроника, Проектирование РЭС, Курсовая ... мм Z1, Z2 - припуски размеров для обеспечения свободной входимости ячеек в блок, Z1 = Z2 = 2,5 мм L = 110 + 2,5 + 2,5 = 115 мм Масса конструкции блока ...
... и ширина ПП, м; Е - модуль упругости ПП, Н/м2; hnn - толщина ПП, м; V - величина линейного ускорения, м/с2; g - ускорение свободного падения, м/с2; mэ ...


Проектирование РЭС [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Проектирование РЭС, Курсовая ... 9) где Lяч - размер ячейки, Lяч = 60 мм Z1, Z2 - припуски размеров для обеспечения свободной входимости ячеек в блок, Z1=2,5 мм, Z2 = 3 мм L = 60 + 2, ...
... 150 мВт, то предположив что к.п.д. этой схемы не более 70%, мощность, рассеиваемая блоком в виде теплоты Ро ( 40 мВт); - мощность радиоэлементов, ...


Разработка устройства Видеопорт [нестрогое соответствие]
Технология, Разработка устройства Видеопорт, Курсовая ... к - (к = (ко * Ккп * Кн1, где (ко - перегрев корпуса герметичного блока при давлении окружающей среды 0.1 Мпа (ко = 0.1472 * qк - 0.2962 * 10-3 * qк2 ...
... Кн1 = 1.2, Получим - (к = 5.28 К. Определяют удельную мощность нагретой зоны блока - qз - Qб qз = = 0.066 Вт/ м2 2*(Lкх*Lку+(1/Lкх+1/Lку)*lк*lу*lz) ...


Конструирование ЭВС [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Конструирование ЭВС, Курсовая ... Sп=0 мм2 | |Мощность одной ИС |Pис=0,001 Вт | |Температура окружающей среды |tо=30 оC | |Тип корпуса |Дюраль | |Давление воздуха |p = 1(33 ( 104 Па ...
... P0=20 Вт, тогда [pic] 2( По графику из [1] задаемся перегревом корпуса в первом приближении (tк= 10 оС( 3( Определяем коэффициент лучеиспускания для


Конструирование и технология производства ЭВА [нестрогое соответствие]
Технология, Конструирование и технология производства ЭВА, ... Sп=0 мм2 | |Мощность одной ИС |Pис=0,001 Вт | |Температура окружающей среды |tо=30 оC | |Тип корпуса |Дюраль | |Давление воздуха |p = 1(33 ( 104 Па ...
... P0=20 Вт, тогда [pic] 2( По графику из [1] задаемся перегревом корпуса в первом приближении (tк= 10 оС( 3( Определяем коэффициент лучеиспускания для


Разработка технологического процесса сборки и монтажа печатной платы "Пульт ДУ" [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Разработка технологического процесса сборки и монтажа печатной платы "Пульт ДУ" , Работа Курсовая Для крепления печатной платы в корпусе применяются электроизоляционные втулки диаметром 7 мм с отверстием диаметром 4,3 мм; высота втулок - 15 мм (4 ...
... КТ 13 |КП34.05.00.00 | |2 Автомат установки транзисторов в | | |пластмассовом корпусе типа КТ 13 |КП34.02.00.00 | Таблица - Технические характеристики ...


Лабораторные по проектированию РЭС [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Лабораторные по проектированию РЭС, Контрольная 2. Алгоритм компоновки типовой МЭА |Выбор схемы компоновки и типоразмеров |Синтез | |блока, ячеек, ПП | | |Определение объёма блока |Синтез | |Выбор ...
Исходные данные: ширина блока; B=90,5 мм высота блока; Н=194 мм длина блока; L=320,5 мм размер зоны лицевой панели; Lk1=30 мм размер зоны разъёмов; ...


Разработка блока управления тюнером спутникового телевидения [нестрогое соответствие]
Кибернетика, Разработка блока управления тюнером спутникового телевидения, Диплом ... Номинальное значение диаметров монтажных отверстий: d=dэ+(bdно(+Г, (dно=0,1 мм, Г=0,3 мм. а) для микросхем dэ=0,5 мм d=0,9 мм б) для резисторов dэ=0,5 ...
Размеры нагретой зоны: l31=180 мм; l32=215 мм; l33=15 мм Размеры блока: l(1=220 мм; l(2=255 мм; l(3=55 мм 1. Площадь блока.


Модернизация управляющего блока тюнера [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Модернизация управляющего блока тюнера , Диплом и связанное с ним ... значение диаметров монтажных отверстий: | |d=dэ+(bdно(+Г, (dно=0,1 мм, Г=0,3 мм. | |а) для микросхем | |dэ=0,5 мм d=0,9 мм | |б) для резисторов | |dэ= ...
... к предпочтительному ряду размеров монтажных | |отверстий: | |0,7; 0,9; 1,1; 1,3; 1,5 мм. | |Номинальное значение диаметров монтажных отверстий для ...