Похожие работы на «Конструирование изделий МЭ»

Конструирование изделий МЭ
Радиоэлектроника, Конструирование изделий МЭ, Курсовая ... 0,2(0,2, откуда SКП=0,04мм2 Для периферийных контактных площадок с шагом 0,625 мм размер контактных площадок 0,4(0,4 мм, SКП=0,16 мм2. §4.Разработка ...
... SКПi - площади i-х резисторов, конденсаторов, навесных компонентов и контактных площадок соответственно; n, m, k, l - число резисторов, конденсаторов, ...


Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)
Радиоэлектроника, Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) , Работа Курсовая ... достигается объединение высокого удельного сопротивления, что необходимо для уменьшения площади, которую занимает резистор, и сравнительно небольшого ...
... измерянных ранее токов через резисторы, используя закон Ома. |P = I2 R, |( 5.1) | где I - ток через резистор, А; R - сопротивление резистора, Ом.


Тонкопленочные элементы интегральных схем
Радиоэлектроника, Тонкопленочные элементы интегральных схем, Курсовая ... на общем основании (подложке) с одновременным формированием из этих пленок микро деталей (резисторов, конденсаторов, контактных площадок и др.) и ...
В отличие от резисторов, контактных площадок и коммутации, при изготовлении которых достаточно произвести осаждение одного или двух слоев (подслоя и ...


Конструирование микросхем и микропроцессоров [нестрогое соответствие]
Программирование и комп-ры, Конструирование микросхем и микропроцессоров, ... первой группы 1. Исходные данные для низкоомных резисторов: [pic], где Rн - номинальное сопротивление резистора; [pic]- относительная погрешность ...
... второй группы 1. Исходные данные для высокоомных резисторов: [pic], где Rн - номинальное сопротивление резистора; [pic]- относительная погрешность ...


Расчет неинвертирующего усилителя [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчет неинвертирующего усилителя, Курсовая ... изоляционного материала, и бескорпусные полупроводниковые кристаллы (транзисторы, диоды, диодные матрицы, несложные микросхемы), монтируемые на той же ...
... подчиняется выражению R=RслЧ?/a, и сопротивления приконтактных областей, которое определяется через эмпирический коэффициент k, выраженный в долях Rсл ...


Разработка программатора микросхем ПЗУ [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Разработка программатора микросхем ПЗУ , Диплом и связанное с ним ... как источника данных программирования и для контроля запрограммированных микросхем; 5. Обязательное наличие режимов "Входной контроль" и "Выходной ...
... на чистоту стирания; 3) подсчет контрольной суммы микросхемы; 4) считывания данных из микросхемы в буфер; 5) подбор микросхемы для программирования; 6 ...


Усилитель для воспроизведения монофонических музыкальных программ [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Усилитель для воспроизведения монофонических музыкальных программ, ... 22Ч6Ч2,2=290,4 мм2 где S1 - суммарная площадь резисторов МЛТ-0,125 n - количество резисторов МЛТ-0,125 L1 - длина резистора МЛТ-0,125, мм D1 - ширина ...
... 0,25, мм D2 - ширина резистора МЛТ-0,25, мм Рассчитаем суммарную площадь резисторов МЛТ-0,5: S3=n3ЧL3ЧD3 S3=2Ч10,8Ч4,2=90,72 мм2 где S3 - суммарная ...


Разработка устройства Видеопорт [нестрогое соответствие]
Технология, Разработка устройства Видеопорт, Курсовая ... S = 1010.1011 Ом 2) удельное объемное сопротивление ?V = 1011.1013 Ом*см 3) диапазон рабочих температур -60.+105°С 4) диэлектрическая проницаемость ...
... 0.15 мм (диаметральное значение позиционного допуска расположения контактных площадок относительно номинального положения) бd = 0.08 мм (диаметральное ...


Расчет тонкопленочного конденсатора [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчет тонкопленочного конденсатора, Курсовая ... разрывов и т.п. Высокая механическая прочность облегчает механическую обработку подложек (для получения требуемой формы и размеров и создания в них ...
... Постоян. |угла |емкость, |прочн. |1/0С |обкладок;| |ческой | |диэл. |пФ/см2 |Е*10-6 | |удельное | |пленки | |потерь на| |В/см | |сопро. | | | |частоте ...


Дифференциальный усилитель [нестрогое соответствие]
Технология, Дифференциальный усилитель, ... 1 |Р4=2,2мВт | | |1,7КОм(10% | | | |R6 |резистор |1 |Р6=2,6мВт | | |5,7ком(10% | | | |VT1,VT4 |транзистор КТ318В |2 |Р=8мВт | |VT2 |транзистор КТ369А ...
... из соотношения Sr+Sc+Sk+Sн Sподл=-, где Кs Кs-коэффициент использования платы (0.4....0.6); Sr-суммарная площадь, занимаемая резисторами; Sc-общая ...