Похожие работы на «Полупроводниковые приборы»
Полупроводниковые приборы
Радиоэлектроника, Полупроводниковые приборы, Реферат
Обратный ток при обратном напряжении до сотен вольт у диодов небольшой мощности составляет лишь единицы или десятки микроампер.
... базу: в приборах типа p-n-p - это дырки ,в приборах типа n-p-n -это электроны Полупроводниковая структура транзистора типов p-n-p и n-p-n Существуют ...
Лавинно-пролетный диод
Радиоэлектроника, Лавинно-пролетный диод , Работа Курсовая
... компенсируется полем объемного заряда ионов примеси Nn и Np, положительным в одной части запорного слоя (n-слой) и отрицательным - в другой (p-слой) ...
... подвижных носителей тока, в этом случае локализован в тонком слое, где электрическое поле максимально, такой полупроводниковый диод (его можно назвать ...
Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения
Технология, Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения, Реферат
... Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их пременеия" План 1. Полупроводники: теория и свойства 2. Основные полупроводниковые приборы (Строение ...
2.Основные полупроводниковые приборы (Строение и применение) Существуют два основных полупроводниковых приборов : диод и транзистор.
Транзисторы
Физика, Транзисторы, Курсовая
... буквой [pic]: [pic] Так как ток базы в большинстве случаев в десятки - сотни раз меньше тока коллектора, то величина коэффициента усиления должна быть ...
... прямой (p - n - p) или обратной проводимости (n - p - n). Транзисторы, у которых используется только один основной носитель заряда, например, только ...
Электронно-дырочный переход
Физика, Электронно-дырочный переход, Реферат
... диффузионный ток в переходе, вызываемый градиентом концентрации носителей заряда, должен уравновешиваться встречным дрейфующим током, обусловленным ...
... типов электропреобразовательных полупроводниковых диодов: выпрямительные (силовые) высокочастотные диоды, импульсные диоды, стабилитроны, варикапы ...
Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов
Технология, Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов, Курсовая
... возрастанием P/S. Защита p-n-переходов легкоплавкими стеклами Для защиты полупроводниковых приборов функциональные поверхности активных элементов p-n- ...
... 3. А.И. Курносов "Матералы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем" 4. В.А. Брук "Производство полупроводниковых приборов" 5. Парфёнов ...
Учебная практика по специальности ТО и ремонт РЭА
Радиоэлектроника, Учебная практика по специальности ТО и ремонт РЭА , Практические занятия и отчеты
Импульсный диод - полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов и использующий, так же как и выпрямительный диод, при своей ...
... незначительным, так как обратное напряжение, приложенное к диоду омметром, мало по сравнению с тем обратным напряжением, на которое диод рассчитан.
Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника
Коммуникации и связь, Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника, Реферат
Диоды полупроводниковых ИМС реализуются на основе n-p-n транзисторов, причем их параметры зависят от схемы включения транзистора в качестве диода.
... реализации p-n-p транзисторов на одной подложке с основными n-p-n транзисторами, поймите отличия горизонтального и вертикального p-n-p транзисторов.
Матричные фотоприемники
Радиоэлектроника, Матричные фотоприемники , Работа Курсовая
1.2 .ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ ФОТОДИОДА Полупроводниковый фотодиод - это полупроводниковый диод, обратный ток которого зависит от освещенности.
... и германия равна 5*106 см/c). Толщина p-n перехода, зависящая от обратного напряжения и концентрации примесей в базе, обычно меньше 5 мкм, а значит (i ...
Физические основы действия современных компьютеров
Физика, Физические основы действия современных компьютеров , Работа Курсовая
... носители оттесняются от границы полупроводников, таким образом, на границе образуется тонкий слой, практически лишенный основных носителей заряда, ...
... т.к. при росте обратного напряжения растет напряженность внутреннего поля перехода, ведущий к росту подвижности носителей, формирующих обратный ток.
