Похожие работы на «Расчет тонкопленочного конденсатора»

Расчет тонкопленочного конденсатора
Радиоэлектроника, Расчет тонкопленочного конденсатора, Курсовая ... и необходимой толщиной диэлектрического слоя d. Допуск, на номинальную емкость С определяется относительным изменением емкости С конденсатора, ...
... от материала и погрешности воспроизведения толщины диэлектрика); - относительная погрешность площади (зависит от формы, площади и погрешности линейных ...


Усилитель промежуточной частоты
Радиоэлектроника, Усилитель промежуточной частоты , Работа Курсовая ... pic]% [pic]% (34) Среднее значение относительной погрешности емкости, вызванной изменением температуры (2.17; 2.18 [5]): [pic] [pic] (35) [pic]% [pic] ...
... относительной погрешности удельной емкости, вызванной старением диэлектрической пленки: [pic]% (38) Среднее значение относительной погрешности емкости ...


Конструирование микросхем и микропроцессоров
Программирование и комп-ры, Конструирование микросхем и микропроцессоров, ... pic], где Cн - номинальная емкость конденсатора; (C - относительная погрешность номинальной емкости; Up- рабочее напряжение на конденсаторе; T(max C ...
... обкладка конденсатора и соединительные проводники - диэлектрик конденсатора - верхняя обкладка конденсатора и контактные площадки - защитный слой; 4. ...


Конденсатор [нестрогое соответствие]
Физика, Конденсатор , Рефераты ... при электролизе на поверхности металла, который является одной обкладкой, при этом другой обкладкой служит электролит, необходимый для существования ...
... одна основана на использовании хрупких керамических слоев толщиной 0,002 см и меньше, а в основе другой лежит технология, позволяющая "сворачивать" ...


Конденсаторы [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Конденсаторы, Реферат ... Второй элемент - обозначение группы конденсатора в зависимости от материала диэлектрика в соответствии с таблицей 3. Таблица 3. Условное обозначение ...
... 2 | | |с газообразным диэлектриком |3 | | |с твёрдым диэлектриком |4 | Третий эл. - пишется через дефис и обозначает регистрационный номер конкретного ...


Конденсаторы [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Конденсаторы, Реферат ... Второй элемент - обозначение группы конденсатора в зависимости от материала диэлектрика в соответствии с таблицей 3. Таблица 3. Условное обозначение ...
... 2 | | |с газообразным диэлектриком |3 | | |с твёрдым диэлектриком |4 | Третий эл. - пишется через дефис и обозначает регистрационный номер конкретного ...


Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) , Работа Курсовая ... для расчета примем ее равной 0,05; ТКR - температурный коэффициент сопротивления базового слоя, он равен 0,003 1/(С. Результаты расчета следующие: |R1 ...
... по формуле, пФ: |[pic] |( 6.1 ) | где (д/э - диэлектрическая постоянная диэлектрика; (0 - диэлектрическая постоянная вакуума, (0=8,85(10-6 пФ/мкм; S ...


ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ, Курсовая ... 22) пленку окиси кремния с малым значением диэлектрической постоянной (( ( 6), легко получить малые удельные емкости в двухслойной структуре.
... использовать наполнители с большим значением диэлектрической постоянной, то можно увеличить ее погонную емкость между электродами на порядок. [pic] ...


Усилитель для воспроизведения монофонических музыкальных программ [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Усилитель для воспроизведения монофонических музыкальных программ, мкФх16 В L5 - длина конденсатора К53-1 емкостью 15 мкФх16 В, мм D5 - ширина конденсатора К53-1 емкостью 15 мкФх16 В, мм S6=n6ЧL6ЧD6 S6=1Ч10Ч4=40 мм2 ...
... S7=1-17-4=68 мм2 где S7 - суммарная площадь конденсаторов К53-1 емкостью 4,7 мкФх30 В. L7 - длина конденсатора К53-1 емкостью 4,7 мкФх30 В, мм D7 ...


Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов [нестрогое соответствие]
Технология, Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов, Курсовая ... сопротивление вазелина при температуре 200С составляет 1014ом*, а при 1500- 1012ом*см; тангенс угла диэлектрических потерь при частоте 106 гц-0,006; ...
... 1)*Si(OcnH2n+1), где n= 1,2,3,4. При нанесение плёнок стекла на окислые слои толщиной менее 200нм возможно проникновение ионов из стекла через окисный ...