Похожие работы на «Конструирование микросхем и микропроцессоров»

Конструирование микросхем и микропроцессоров
Программирование и комп-ры, Конструирование микросхем и микропроцессоров, ... максимально допустимое значение сопротивления контактного перехода: [pic]Ом; 3. Рассчитаем сопротивление контактного перехода: [pic]Ом; 4. Проверка ...
... максимально допустимое значение сопротивления контактного перехода: [pic]Ом; 3. Рассчитаем сопротивление контактного перехода: [pic]Ом; 4. Проверка ...


Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)
Радиоэлектроника, Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) , Работа Курсовая ... измерянных ранее токов через резисторы, используя закон Ома. |P = I2 R, |( 5.1) | где I - ток через резистор, А; R - сопротивление резистора, Ом.
... заданную погрешность геометрических размеров: |[pic] |( 5.5) | где (b - погрешность ширины резистора; (l - погрешность длины резистора В нашем случае ...


Расчет неинвертирующего усилителя
Радиоэлектроника, Расчет неинвертирующего усилителя, Курсовая ... микросхемы включают в себя плёночные пассивные элементы (резисторы и конденсаторы), коммутационные проводники, нанесённые непосредственно на подложку ...
... Максимальное выходное напряжение........|=10|В Выходное напряжение переменное..........?|=20|мВ Напряжение смещения нуля(при Rг=10 Ом, Rн?10кОм).?2.5 ...


ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ
Радиоэлектроника, ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ, Курсовая ... по формулам, применяемым для расчета низкочастотных резисторов: [pic] где S, 1, b-площадь, длина и ширина резистора; N-число квадратов; Р0 и R( ...
... или охлаждении системы из-за жесткости конструкции могут возникнут внутренние напряжения в подложке и, как результат ее механическое разрушение или ...


Конструирование микросхемы, разработка топологии
Технология, Конструирование микросхемы, разработка топологии, Курсовая ... тока на резисторах R11, R13 и R14 представим конденсатор на 9-ом выводе как резистор с самым большим сопротивлением, которое только имеем на схеме УПЧ ...
... при этом зазор между маской и подложкой отсутствует, линейные размеры элементов строго соответствуют размерам щелей в маске (метод контактной маски) ...


Конструирование изделий МЭ [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Конструирование изделий МЭ, Курсовая ... 0,2(0,2, откуда SКП=0,04мм2 Для периферийных контактных площадок с шагом 0,625 мм размер контактных площадок 0,4(0,4 мм, SКП=0,16 мм2. §4.Разработка ...
... площади; SRi, SCi, SНКi, SКПi - площади i-х резисторов, конденсаторов, навесных компонентов и контактных площадок соответственно; n, m, k, l - число ...


Дифференциальный усилитель [нестрогое соответствие]
Технология, Дифференциальный усилитель, ... lполн*b. S1,3,5=1.2 мм^2. Аналогичным образом рассчитываем размеры резистора R6. b6=0.7 мм, lполн=1.75 мм, S=1.225 мм^2. Для резисторов, имеющих Кф(1, ...
... условий (l+(b*Кф Р*Кф lрасч(max(lтехн,lточн,lр), lточн(-, lр=(-)^1/2. (0кф Р0 lточн2=0.736 мм, lр2=0.417 мм, значит l2=0.75 мм. bрасч=l/Кф, bрасч2=1. ...


Разработка программатора микросхем ПЗУ [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Разработка программатора микросхем ПЗУ , Диплом и связанное с ним мм; d2=0,5 мм; d3=0,6 мм; d4=0,6 мм; диаметры проводов с изоляцией dи1=0,58 мм; dи2=0,55 мм; dи3=0,65 мм; dи4=0,65 мм.
... на чистоту стирания; 3) подсчет контрольной суммы микросхемы; 4) считывания данных из микросхемы в буфер; 5) подбор микросхемы для программирования; 6 ...


Усилитель для воспроизведения монофонических музыкальных программ [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Усилитель для воспроизведения монофонических музыкальных программ, ... МЛТ-0,25 L2 - длина резистора МЛТ-0,25, мм D2 - ширина резистора МЛТ-0,25, мм Рассчитаем суммарную площадь резисторов МЛТ-0,5: S3=n3ЧL3ЧD3 S3=2Ч10,8Ч4 ...
... 1: S5=n5ЧL5ЧD5 S5=3Ч13Ч4=156 мм2. где S5 - суммарная площадь конденсаторов К53-1 емкостью 15 мкФх16 В. n5 - количество конденсаторов К53-1 емкостью 15


Разработка устройства Видеопорт [нестрогое соответствие]
Технология, Разработка устройства Видеопорт, Курсовая ... выводом ЭРЭ и монтажным отверстием) Нг = 0.035 мм (толщина слоя меди) ?D = 0.1 мм (погрешность диаметра отверстия) Dмо = 0.5 + 0.1 + 0.035*2 + 0.1 = 0 ...
... расчет выше) (внешний радиус отверстия) hм = 0.035 мм (толщина металлизации) Rпо = ( 0.05*10-6 *1.5*10-3 ) / ( 2*3.14*0.4*10-3 *35*10-6 ) = 85.3*10-3 ...